近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

期間，由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司共同協辦的“固態紫外器件技術分會”上，廈門三安光電股份有限公司副總經理GaN事業部總經理張中英分享了UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展。介紹了量子結構設計與高質量外延，優化芯片結構獲得高性能AlGaN-DUV-LED，DUV LED產品線和模塊解決方案等內容。

AlGaN基深紫外發光二極管（DUV）具有壽命長、波長可調、環境友好、方向性好、開關速度快、結構緊湊、靈活性強等優點，在水中取代傳統的紫外光源（特別是汞燈）方面顯示出巨大的應用潛力凈化、表面滅菌、生物醫學等。
 

然而，AlGaN基DUV-led的實際應用還存在一些技術問題。而提高器件的外量子效率（EQE）是目前急需解決的主要問題之一，它通常低于10%，且受內部量子效率（IQE）和光提取效率（LEE）的影響。

研究以奈米圖形藍寶石基板（NPS）及超晶格插入層來減少層內缺陷與應變，來外延生長高晶質AlN與AlGaN層。研究了周期超晶格結構和脈沖δ摻雜對Mg元素激活特性的影響，以提高Mg元素的摻雜效率和激活效率。

為了改善器件的LEE特性，引入了新型TCL-Al高反射電極與微結構相結合，以提高器件的出光角和輸出效率。在此基礎上，研制出工作電流為100mA的高性能AlGaN-DUV-led，輸出功率為34mw。從產品角度出發，對DUV-LED芯片和封裝模塊的穩定性進行了研究。
 

張中英研究方向為III/V族化合物半導體材料與光電組件，入選“福建省百人計劃”，現擔任三安光電股份有限公司副總經理兼氮化鎵事業部總經理。在Ⅲ/Ⅴ族化合物半導體領域資厲20年，積累了豐富的經驗，已承擔國家科技部、工信部、發改委4項重大項目，申請相關專利43項，發表學術論文30篇。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）