當(dāng)前有正裝技術(shù)、倒裝技術(shù)以及“免金線封裝”等多種LED技術(shù)路線，各種技術(shù)路線努力的方向都呈現(xiàn)高密度級的趨勢，追求在更小的LED芯片面積上耐受更大的電流驅(qū)動，并獲得更高的光通量以及薄型化等特性，從而獲得更好的性能(發(fā)光效率、發(fā)光強(qiáng)度、產(chǎn)品壽命、流明成本等)。

11月7日，第十一屆中國國際半導(dǎo)體照明展覽會暨論壇(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封裝與模組技術(shù)(Ⅱ)”技術(shù)分會在廣州廣交會威斯汀酒店舉行，會上，上?？其J光電發(fā)展有限公司營業(yè)總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)邵嘉平做了關(guān)于“高密度級LED技術(shù)”的報告。

上?？其J光電發(fā)展有限公司營業(yè)總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)邵嘉平

高密度級LED技術(shù)是一項業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新，能為LED器件帶來立竿見影的性能提升，將使得實現(xiàn)體積更小、照明性能更高、照明品質(zhì)更佳、系統(tǒng)成本更低、照明設(shè)計更靈活、照明產(chǎn)品更富有創(chuàng)新性的新一代LED照明解決方案成為可能。這將不僅僅為現(xiàn)有LED照明存量市場提供更好的解決方案，更會為今后LED照明新增市場帶來更多想象空間和發(fā)展機(jī)遇。

邵嘉平表示，高密度級LED技術(shù)創(chuàng)新重點體現(xiàn)在技術(shù)平臺的革新，綜合涵蓋了襯底、外延、芯片、封裝、光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等多方面的重要提升：

SiC襯底，有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯，更高的電光轉(zhuǎn)換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱，同時SiC材料本身的物理特性使其能夠在更大功率、更高溫度下正常工作;

增強(qiáng)型外延結(jié)構(gòu)，顯著提高量子效率，進(jìn)一步提高了出光率;

改進(jìn)型芯片架構(gòu)，綜合了前代正裝芯片和倒裝無金線芯片的優(yōu)勢，使得LED在更高溫度下的效率進(jìn)一步提升，并帶來更多的出光和更低的熱阻;

陶瓷封裝，比之塑料封裝，能夠在高溫下仍然保持優(yōu)異的流明維持率，穩(wěn)定的可靠性和長壽命為終端用戶能夠更加放心地使用LED產(chǎn)品提供保障;

先進(jìn)的光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其透鏡形狀針對更佳出光而優(yōu)化設(shè)計，并且在高熱量條件下始終保持優(yōu)異的光學(xué)穩(wěn)定性，同時能夠在多芯片LED器件中實現(xiàn)更好的光線強(qiáng)度和均勻度。