作為中國地區最具國際影響力的半導體照明及智能照明行業年度盛會，以及業界最為關注的論壇之一，第十二屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2015)將于2015年11月2-4日在深圳會展中心舉辦，論壇緊扣時代發展脈搏與產業發展趨勢，以“互聯時代的LED+”為大會主題，探討產業發展大勢。解讀產業新政策，推薦產業新技術、新應用，引導和解決產業發展共性問題。
本屆大會特邀科技部副部長、國家制造強國建設領導小組副組長曹健林擔任中方主席，外方主席為國際照明委員會主席Yoshi Ohno，組委會秘書長為國際半導體照明聯盟(ISA)主席、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）秘書長吳玲。目前開閉幕大會、技術分會等特邀嘉賓正在全球征集中。
據組委會最新消息，意大利帕多瓦大學的Matteo Meneghini博士將出席本次論壇，并在P203“可靠性與熱管理技術分會”上將分享GaN LED高可靠性的研究成果。
Matteo Meneghini博士
在過去的10年間，由于GaN基LED發光效率高、內在穩健性優良及芯片尺寸較小而被證明為高功率光源制造的優選器件。因此，這類器件在多個領域得到廣泛應用，包括通用、工業、汽車和生物醫學照明等。這些應用要求高可靠性（壽命 > 50000 h）及流明輸出的長期穩定性。有幾項報告顯示高功率LED可能會因為漸變或突發失效機制而發生過早衰減。
此次論壇上，Matteo Meneghini博士將通過介紹最新研究成果討論造成GaN基高效率LED衰減的物理機制，包括非放射性缺陷及連接處產生分路而造成器件放射層衰減，熒光粉封裝系統衰減，并導致LED色度屬性減弱，由于靜電放電和電氣過應力而導致突發失效。同時報告參考了相關的最近研究文獻，可以讓業界同行對這一課題產生清晰的理解。
Matteo Meneghini擁有帕多瓦大學的電子和通信工程博士學位，主要研究GaN基LED和激光結構的優化。他現任帕多瓦大學信息工程系助理教授，主要研究方向是化合物半導體器件（LED、激光二極管、HEMT）的特性、可靠性和仿真。
在科研工作中，他曾發表200多篇期刊和會議論文。他還曾與多家半導體公司及研究中心進行合作和/或聯合發表論文，其中包括：歐司朗、松下公司、恩智浦半導體(荷蘭)、安森美半導體(比利時/美國) 、Universal Display Corporation(美國) 、Sensor Electronic Technologies(美國) 、比利時微電子研究中心(IMEC)、英飛凌(奧地利)、弗勞恩霍夫固體物理研究所(德國)、 劍橋大學(英國)、 加州大學圣芭芭拉分校(美國)、維也納大學(奧地利)等。
此外，Matteo Meneghini是IEEE的高級會員，也是國際光學工程學會（SPIE）的會員。他曾與同事一起在多個國際會議上（包括ESREF、IWIN、ESSDERC、IEEE-IRPS）獲得最佳論文獎。為獎勵他在帕多瓦大學所進行的科學研究，他獲得“2008年卡羅奧菲獎”（最佳青年研究員）。
