第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰掌握著技術(shù)的高地，誰就擁有更多的話語權(quán)。
2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會(huì)”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。
“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會(huì)”作為論壇重要技術(shù)分會(huì)之一，河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同擔(dān)任本次分會(huì)主席。日本德島大學(xué)教授，西安電子科技大學(xué)教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責(zé)任公司晶圓級(jí)可靠性專家陶國橋等專家擔(dān)任分會(huì)委員為分會(huì)提供堅(jiān)實(shí)的支持。
會(huì)上，OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告。
報(bào)告中介紹說，隨著5G 28GHz和39GHz移動(dòng)系統(tǒng)等先進(jìn)毫米波通信應(yīng)用的出現(xiàn)，要求開發(fā)高性能寬帶隙MMIC工藝和產(chǎn)品。在這方面，我們?cè)贠mmic已經(jīng)能夠展示驚人的mmW MMIC結(jié)果使用100nm和60nm Si上GaN應(yīng)用于20 GHz到90GHz的發(fā)射和接收。使用Si上GaN相當(dāng)于GaN上SiC工藝的性能，但成本明顯較低，能夠滿足基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)和手持設(shè)備的經(jīng)濟(jì)性和性能要求。
演講中，首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。介紹了各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。和從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。最后，還分享了用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器工藝的性能。【根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】
