第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰掌握著技術(shù)的高地，誰就擁有更多的話語權(quán)。

 

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

　　“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”作為論壇重要技術(shù)分會之一，河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同擔(dān)任本次分會主席。日本德島大學(xué)教授，西安電子科技大學(xué)教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責(zé)任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔(dān)任分會委員為分會提供堅(jiān)實(shí)的支持。

 

　　會上，來自臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授在《適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案》報(bào)告中介紹到，4G的普及正在推動新的5G移動通信網(wǎng)絡(luò)的國際標(biāo)準(zhǔn)的推出。中國已經(jīng)開始規(guī)劃第五代(5G)無線通信頻段，頻率將集中在5G通信第一階段的亞6GHz頻段。5G技術(shù)需要連接數(shù)十億臺嵌入式設(shè)備的微單元，許多公司參加了此次活動，希望在5G硬件和軟件開發(fā)方面領(lǐng)先一步。

 

　　但是5G基站系統(tǒng)的開發(fā)還處于起步階段，因?yàn)槲覀冊诟吖β驶拘袠I(yè)中沒有關(guān)鍵的固態(tài)技術(shù)。此外，5G通信系統(tǒng)對功放線性度、輸出功率密度、功率增加效率等方面還存在一些嚴(yán)重的要求。在這次報(bào)告中，提供6英寸和8英寸GaN on Si RF HEMT技術(shù)解決方案，用于亞6GHz和毫米波波段。此外，采用高均勻性的p-GaN柵HEMT技術(shù)可以高效地實(shí)現(xiàn)微單元基站的DC/DC變換器。