- 2025-08-07 15:59CULCON前瞻|中國科學院半導體所趙德剛：氮化鎵基紫外激光器技術
- 2024-12-03 09:19南京大學合作研制出國際上首款RGB全氮化鎵基芯片TFT基Micro-LED全彩顯示屏
- 2023-11-07 18:14中微公司：公司用于氮化鎵基LED外延生產的MOCVD設備已在行業(yè)領先客戶生產線上大規(guī)模投入量產
- 2023-05-26 17:06Mojo Vision宣布成功開發(fā)300mm藍色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
- 2023-05-23 08:45兆馳股份：新增52腔MOCVD及配套生產設備用于氮化鎵Mini LED芯片擴產項目
- 2023-05-12 08:08氮化鎵來了 如何解服務器電源高頻損耗難題
- 2023-01-16 15:58兆馳股份：用于氮化鎵Mini LED芯片項目擴產的Prismo UniMax設備預計2023年上半年滿產
- 2022-11-08 10:46日企京瓷開發(fā)生長低缺陷micro LED氮化鎵器件新工藝
- 2022-06-22 11:51強芯沙龍第二期來襲！專家名企聚焦氮化鎵功率半導體材料與器件！
- 2022-03-03 11:18氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，由歌爾股份領投
- 2022-02-23 11:06英國Porotech獲2000萬美元融資，專注MicroLED微顯示技術和新型納米多孔氮化鎵材料技術
- 2022-01-04 14:04歐普照明：將GaN（氮化鎵）技術應用于照明驅動電源上
- 2021-12-15 17:03上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅動HEMT的單片集成結構
- 2021-11-30 14:23第三代半導體產業(yè)乘風破浪，誰將會傲立潮頭？
- 2021-08-25 17:00宏光照明投資半導體領域第三代氮化鎵設備龍頭VisIC
- 2020-12-04 17:06蘇州量芯微半導體傅玥：氮化鎵功率器件，應用起航
- 2020-12-04 16:46英諾賽科陳鈺林：硅基氮化鎵產業(yè)化進展與市場前景
- 2020-11-26 16:21IFWS2020：功率電子器件及封裝技術分會氮化鎵專場深圳召開
- 2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術前沿展望之氮化鎵專場
- 2020-06-15 11:38碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
- 2020-06-11 08:45碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
- 2020-05-20 10:05科研人員研發(fā)新型氮化鎵器件 5G技術峰值速率超預期
- 2020-04-28 08:09【極智課堂】深圳大學材料學院劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導體器件
- 2020-04-07 10:58利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應用于硅產業(yè)領域
- 2020-02-29 09:40【極智課堂】大連芯冠王榮華：從快充談起氮化鎵功率器件的應用
- 2020-01-07 10:12氮化鎵代工爭奪戰(zhàn)開打，誰能拿下龍頭寶座？
- 2019-11-29 10:52南昌大學張建立研究員：面向長波段與低電流密度的硅基氮化鎵 LED
- 2019-11-28 18:02南京電子器件研究所高級工程師張凱：一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管
- 2019-11-28 17:58臺灣長庚大學教授邱顯欽：適用于第五代行動通訊六吋氮化鎵微波功放技術及基站功率電源模塊
- 2019-11-28 16:21英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)
- 2019-11-28 14:40河北半導體研究所王毅：一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器
- 2019-11-28 14:33西安電子科技大學教授劉志宏：高頻硅基氮化鎵晶體管
- 2019-11-28 09:38德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRüCKNER：高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC
- 2019-11-27 17:42日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長坂田修身：同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化
- 2019-11-27 17:39俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV：碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬
- 2019-11-27 10:49美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件
- 2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人傅玥：氮化鎵：啟動未來
- 2019-11-27 10:21德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA：通過高品質硅基氮化鎵外延以實現(xiàn)無碳摻雜的高隔離性和高動態(tài)表現(xiàn)
- 2019-11-27 10:11日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統(tǒng)
- 2019-11-26 21:13中國科學院院士、南昌大學副校長江風益：從硅基氮化鎵LED進展看半導體照明未來
- 2019-11-26 14:59美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA：氮化鎵功率電子的價值前景
- 2018-11-13 14:04硅基氮化鎵技術助力5G發(fā)展
- 2018-11-09 14:34Veeco 與 ALLOS 以技術合作加快為全球主要客戶提供 200 mm 硅基氮化鎵 microLED 應用
- 2018-11-02 08:46臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
- 2018-11-01 20:28蘇州能訊高能半導體有限公司李元：以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
- 2018-11-01 20:21西安電子科技大學特聘教授敖金平：用于微波無線電能傳輸?shù)?span id="oaks02s" class="highlight">氮化鎵射頻肖特基二極管
- 2018-10-31 19:00西安交通大學田震寰博士：激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字塔型柔性氮化鎵基LED
- 2018-10-30 15:04南京大學劉斌教授：氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件
- 2018-10-26 15:24IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
- 2017-12-21 09:22從產品到應用 GaN（氮化鎵）將成為功率半導體市場發(fā)展新動力
- 2017-12-21 09:17宜普電源轉換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化鎵功率晶體管
- 2017-11-23 16:16英國IQE集團副總裁Wayne JOHNSON ：啟用先進技術
- 2017-11-10 11:37中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線在珠海投產
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- 2017-10-11 10:43市場需求逐漸起量 氮化鎵功率電子器件市場商機無限
- 2017-09-08 09:13氮化鎵|美國納微半導體公司即將展出最新GaN功率芯片
- 2017-09-07 11:20技術薈|瑞士研發(fā)人員首次將氮化鎵材料應用于平面柵極場效應晶體管
- 2017-08-21 10:16溝槽填充p型氮化鎵可增加InGaN LED輸出功率
- 2017-08-10 10:37氮化鎵｜德國ALLOS公司對傳統(tǒng)硅基氮化鎵外延工藝提出質疑
- 2017-08-02 09:34技術薈 | 硅基生長氮化鎵器件的新方法？
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- 2017-07-07 09:28AIXTRON愛思強系統(tǒng)獲歐司朗驗證合格，用于高性能氮化鎵LED生產
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- 2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結構的穩(wěn)定性和可靠性
- 2016-11-22 12:58【IFWS 2016】程凱: 電力電子應用的硅基氮化鎵平臺
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT器件
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術的高性能開關電源和頻射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產效益
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