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2025-08-07 15:59
CULCON前瞻|中國科學院半導體所趙德剛:
氮化鎵
基紫外激光器技術
2024-12-03 09:19
南京大學合作研制出國際上首款RGB全
氮化鎵
基芯片TFT基Micro-LED全彩顯示屏
2023-11-07 18:14
中微公司:公司用于
氮化鎵
基LED外延生產的MOCVD設備已在行業(yè)領先客戶生產線上大規(guī)模投入量產
2023-05-26 17:06
Mojo Vision宣布成功開發(fā)300mm藍色硅基
氮化鎵
Micro LED陣列晶圓
2023-05-23 08:45
兆馳股份:新增52腔MOCVD及配套生產設備用于
氮化鎵
Mini LED芯片擴產項目
2023-05-12 08:08
氮化鎵
來了 如何解服務器電源高頻損耗難題
2023-01-16 15:58
兆馳股份:用于
氮化鎵
Mini LED芯片項目擴產的Prismo UniMax設備預計2023年上半年滿產
2022-11-08 10:46
日企京瓷開發(fā)生長低缺陷micro LED
氮化鎵
器件新工藝
2022-06-22 11:51
強芯沙龍第二期來襲!專家名企聚焦
氮化鎵
功率半導體材料與器件!
2022-03-03 11:18
氮化鎵
外延領軍企業(yè)晶湛半導體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資,由歌爾股份領投
2022-02-23 11:06
英國Porotech獲2000萬美元融資,專注MicroLED微顯示技術和新型納米多孔
氮化鎵
材料技術
2022-01-04 14:04
歐普照明:將GaN(
氮化鎵
)技術應用于照明驅動電源上
2021-12-15 17:03
上海大學任開琳:一種新型
氮化鎵
基Micro-LED及其驅動HEMT的單片集成結構
2021-11-30 14:23
第三代半導體產業(yè)乘風破浪,誰將會傲立潮頭?
2021-08-25 17:00
宏光照明投資半導體領域第三代
氮化鎵
設備龍頭VisIC
2020-12-04 17:06
蘇州量芯微半導體傅玥:
氮化鎵
功率器件,應用起航
2020-12-04 16:46
英諾賽科陳鈺林:硅基
氮化鎵
產業(yè)化進展與市場前景
2020-11-26 16:21
IFWS2020:功率電子器件及封裝技術分會
氮化鎵
專場深圳召開
2020-11-10 17:40
【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術前沿展望之
氮化鎵
專場
2020-06-15 11:38
碳化硅基
氮化鎵
GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
2020-06-11 08:45
碳化硅基
氮化鎵
GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
2020-05-20 10:05
科研人員研發(fā)新型
氮化鎵
器件 5G技術峰值速率超預期
2020-04-28 08:09
【極智課堂】深圳大學材料學院劉新科:基于
氮化鎵
單晶襯底的半導體器件
2020-04-07 10:58
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基
氮化鎵
外延片,將 microLED 應用于硅產業(yè)領域
2020-02-29 09:40
【極智課堂】大連芯冠王榮華:從快充談起
氮化鎵
功率器件的應用
2020-01-07 10:12
氮化鎵
代工爭奪戰(zhàn)開打,誰能拿下龍頭寶座?
2019-11-29 10:52
南昌大學張建立研究員:面向長波段與低電流密度的硅基
氮化鎵
LED
2019-11-28 18:02
南京電子器件研究所高級工程師張凱:一種新型毫米波
氮化鎵
高線性晶體管
2019-11-28 17:58
臺灣長庚大學教授邱顯欽:適用于第五代行動通訊六吋
氮化鎵
微波功放技術及基站功率電源模塊
2019-11-28 16:21
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇:硅基
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產業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)
2019-11-28 14:40
河北半導體研究所王毅:一種采用
氮化鎵
MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器
2019-11-28 14:33
西安電子科技大學教授劉志宏:高頻硅基
氮化鎵
晶體管
2019-11-28 09:38
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRüCKNER:高頻
氮化鎵
HEMT器件和MMIC
2019-11-27 17:42
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長坂田修身:同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)
氮化鎵
襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化
2019-11-27 17:39
俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV:碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的
氮化鎵
生長模擬
2019-11-27 10:49
美國Transphorm高級副總裁YifengWU:擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的
氮化鎵
功率器件
2019-11-27 10:45
加拿大GaN Power副總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人傅玥:
氮化鎵
:啟動未來
2019-11-27 10:21
德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA:通過高品質硅基
氮化鎵
外延以實現(xiàn)無碳摻雜的高隔離性和高動態(tài)表現(xiàn)
2019-11-27 10:11
日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA:基于半絕緣
氮化鎵
襯底生長的高擊穿電壓
氮化鎵
HEMT器件
2019-11-27 10:03
英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU:200mm 40V-650V E型硅基
氮化鎵
材料功率器件技術:從器件、封裝、到系統(tǒng)
2019-11-26 21:13
中國科學院院士、南昌大學副校長江風益:從硅基
氮化鎵
LED進展看半導體照明未來
2019-11-26 14:59
美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA:
氮化鎵
功率電子的價值前景
2018-11-13 14:04
硅基
氮化鎵
技術助力5G發(fā)展
2018-11-09 14:34
Veeco 與 ALLOS 以技術合作加快為全球主要客戶提供 200 mm 硅基
氮化鎵
microLED 應用
2018-11-02 08:46
臺灣長庚大學邱顯欽教授:適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基
氮化鎵
微波器件解決方案
2018-11-01 20:28
蘇州能訊高能半導體有限公司李元:以系統(tǒng)方法實現(xiàn)
氮化鎵
射頻功率器件的高可靠性
2018-11-01 20:21
西安電子科技大學特聘教授敖金平:用于微波無線電能傳輸?shù)?span id="oaks02s" class="highlight">氮化鎵射頻肖特基二極管
2018-10-31 19:00
西安交通大學田震寰博士:激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字塔型柔性
氮化鎵
基LED
2018-10-30 15:04
南京大學劉斌教授:
氮化鎵
微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件
2018-10-26 15:24
IFWS 2018:
氮化鎵
功率電子器件技術分會在深圳召開
2017-12-21 09:22
從產品到應用 GaN(
氮化鎵
)將成為功率半導體市場發(fā)展新動力
2017-12-21 09:17
宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V
氮化鎵
功率晶體管
2017-11-23 16:16
英國IQE集團副總裁Wayne JOHNSON :啟用先進技術
2017-11-10 11:37
中國首條8英寸硅基
氮化鎵
生產線在珠海投產
2017-11-03 11:30
IFWS 2017:
氮化鎵
功率電子器件技術分會在京召開
2017-10-11 10:43
市場需求逐漸起量
氮化鎵
功率電子器件市場商機無限
2017-09-08 09:13
氮化鎵
|美國納微半導體公司即將展出最新GaN功率芯片
2017-09-07 11:20
技術薈|瑞士研發(fā)人員首次將
氮化鎵
材料應用于平面柵極場效應晶體管
2017-08-21 10:16
溝槽填充p型
氮化鎵
可增加InGaN LED輸出功率
2017-08-10 10:37
氮化鎵
|德國ALLOS公司對傳統(tǒng)硅基
氮化鎵
外延工藝提出質疑
2017-08-02 09:34
技術薈 | 硅基生長
氮化鎵
器件的新方法?
2017-07-11 08:39
碳化硅/
氮化鎵
元件開始商用,電子產業(yè)迎來大革命
2017-07-07 09:28
AIXTRON愛思強系統(tǒng)獲歐司朗驗證合格,用于高性能
氮化鎵
LED生產
2017-04-18 15:20
氮化鎵
技術與應用的神秘探究之旅
2016-11-29 08:37
【SSLCHINA 2016】徐科:
氮化鎵
襯底生長的最新進展
2016-11-22 13:09
【IFWS 2016】Marianne GERMAIN:大直徑硅外延片上的
氮化鎵
高效率的功率切換
2016-11-22 13:02
【IFWS 2016】陳敬: 詳解
氮化鎵
功率器件MIS門結構的穩(wěn)定性和可靠性
2016-11-22 12:58
【IFWS 2016】程凱: 電力電子應用的硅基
氮化鎵
平臺
2016-11-22 12:55
【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的
氮化鎵
增強型HEMT器件
2016-11-21 08:30
【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI
氮化鎵
基板技術的高性能開關電源和頻射功率器件
2016-11-21 08:26
【IFWS 2016】David Lishan:
氮化鎵
基器件采用等離子切割的生產效益
2016-09-12 10:54
新一代半極性
氮化鎵
發(fā)光材料研發(fā)歷程:帶來10倍亮度的照明
2016-09-12 09:58
憑一片材料獲150萬美元投資 他帶來10倍亮度的照明
2016-08-29 10:09
氮化鎵
系統(tǒng)創(chuàng)始人退休
2016-03-04 08:48
英國專家用半極性GaN生長高效益LED
2016-02-17 14:15
威科與IMEC合作 力圖提高
氮化鎵
基功率器件性能
2016-02-15 08:19
中國研發(fā)LED微芯片技術讓美國軍事科技擔憂
2016-02-15 08:03
美國否決中資收購飛利浦背后:阻止中國掌握第三代LED
氮化鎵
技術
2015-12-11 09:38
晶元GaN-on-Si晶片即將量產 稱霸LED照明?
2015-11-26 09:49
新一代功率半導體氧化鎵,開始提供外延晶圓
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美Soraa新建
氮化鎵
基板LED制造工廠 2016年下半年投產
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蘇州能訊承擔863計劃課題順利通過科技部中期檢查
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863計劃“大尺寸
氮化鎵
襯底制備與同質外延技術研究”課題取得階段性成果
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Cree改變策略 重新命名兩部門為Wolfspeed
2015-08-11 11:36
氮化鎵
:開啟終極半導體商業(yè)化革命
2014-12-24 00:00
北美稱未來十年LED照明市場翻倍增長
氮化鎵
需求增長
2014-11-06 00:00
【SSLCHINA 2014】武東星:兩種有效解決大功率LED熱管理的封裝結構
2014-11-06 00:00
【SSLCHINA 2014】中科院半導體所劉志強副教授:固態(tài)照明的挑戰(zhàn)
2014-11-03 00:00
CSA Research:第三代半導體開啟更大空間,LED拓展小間距應用
2014-10-20 00:00
韓國LED廠加碼GaN基板研發(fā) 搶食LED照明市場
2014-10-11 00:00
安森美牽手Transphorm開發(fā)基于
氮化鎵
的產品
2014-09-29 00:00
新型石墨烯可制成折疊變形LED材料
2014-09-28 00:00
韓國教授研發(fā)出
氮化鎵
結合石墨烯可制成彎曲LED材料
2014-07-14 00:00
受益LED照明快速增長 LED襯底材料投資熱
2014-07-11 00:00
晶能光電預計全年產值將超10億元 計劃明年上市
2014-05-05 00:00
美科學家研發(fā)新技術:LED發(fā)光穩(wěn)定高效更節(jié)能
2014-04-09 00:00
Trifortune公司訂購AIXTRON系統(tǒng) 以研發(fā)
氮化鎵
基材LED
2014-03-21 00:00
美國研究出讓光通量翻番的
氮化鎵
LED技術
2014-03-07 00:00
氮化鎵
晶體管驅動器使LED燈更亮更節(jié)能
2014-01-13 00:00
LED照明迎來新增長 芯片原材料鎵和銦金屬受益
2014-01-13 00:00
LED照明迎來新增長 芯片原材料鎵和銦金屬受益
2014-01-13 00:00
GaN
氮化鎵
(gallium nitride)
2013-12-31 00:00
LED芯片制作不可不知的襯底知識
2013-12-31 00:00
LED芯片制作不可不知的襯底知識
2013-11-13 00:00
Bedwyr Humphreys:開發(fā)高質量、低缺陷密度半極化和非極化
氮化鎵
模板
2013-10-31 00:00
東芝硅基
氮化鎵
白光LED封裝產品開賣
2013-09-09 00:00
張國義:III族氮化物半導體材料的應用及發(fā)展
2013-09-04 00:00
Veeco與IMEC宣布合作 力圖降低GaN-on-Si生產成本
2013-07-01 00:00
IHS:2013年
氮化鎵
LED產品收益將超100億美金
2013-05-14 00:00
孫錢:硅襯底上
氮化鎵
基垂直結構大功率LED的研發(fā)及產業(yè)化
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