2016年11月15日至17日，中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際會議在北京國際會議中心舉行。其中，大會從技術、產業、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置多個專場重點討論。
11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置的專題分會，由山東大學校長、教授張榮，北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯合坐鎮，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。會議現場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！
會上，來自臺灣交通大學教授、副校長張翼介紹了La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT 器件最新研究進展。
張翼校長本科畢業于臺灣清華大學獲得材料科學與工程系，并于美國明尼蘇達大學獲得材料科學與工程系博士學位。張校長于1985年~1988年期間在美國Unisys Corp的砷化鎵組件部門工作；1988~1990年間他在美國Comsat Labs微電子部門任職Senior MTS；1997~1999年他任職漢威光電公司總經理。1999年2月，張博士加入臺灣交通大學任職教授。至今，他是臺灣交通大學副校長、教授兼國際半導體產業學院院長。
張校長是美國電機電子工程師學會會士和中國材料科學學會會士。他獲得過臺灣經濟部授予的大學產業經濟貢獻獎“產業深耕獎”、臺灣經濟部第一屆國家產業創新獎“產業創新學術獎”、2008和2012年度的臺灣科技部“杰出研究獎”、2011年度的臺灣科技部“杰出技術轉移貢獻獎”及2008年度中國電機工程學會頒發的“杰出電機工程教授獎”。
氮化鎵及其相關材料因其高帶隙性質有望成為高功率和高頻應用材料。生長在大型硅基底的氮化鎵高電子遷移率場效晶體管（ HEMT）被認為可以在保持應有表現的情況下顯著減少功率切換器件的生產成本。為了達到高效率，低電流崩塌的氮化鎵 HEMT器件的功率開關應用中，需要考慮不同的材料和工藝問題。
在報告中，用La2O3/SiO2 鈍化GaN HEMT。為了實現正常關閉裝置，展示了以下幾種方法，包括門槽，F等離子處理和高k隔層嵌入。為了降低生產成本，對全銅基金屬化GaN HEMT進行實驗。展示使用上述技術的GaN模塊的性能。
