第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。

 

會議現場

 

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導體有限公司支持協辦的“第三代半導體微波射頻技術分會”在河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

　　“第三代半導體微波射頻技術分會”作為論壇重要技術分會之一，會上，來自日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》研究報告。

 

　　敖金平博士1989年畢業于武漢大學物理系，獲學士學位。1992年獲電子工業部第十三研究所半導體物理與半導體器件物理碩士學位。2000年獲吉林大學微電子學與固體電子學博士學位。曾擔任電子工業部第十三研究所GaAs超高速集成電路研究室副主任，高級工程師。2001年赴日本國立德島大學作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授，博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學術期刊和國際會議上發表論文200余篇，擁有多項發明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協會(IEEE)高級會員，美國電氣化學協會(ESC)會員，日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。

 

　　報告中介紹到，無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天線整流電路中實現高轉換效率的器件。這種肖特基勢壘二極管需要具備低導通電阻、低結電容和低開啟電壓。

 

　　介紹了用于微波無線電能傳輸的氮化鎵肖特基勢壘二極管。利用反應性磁控濺射合成的TiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的開啟電壓。反之，利用反應性磁控濺射合成的NiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的反向漏電流。不同的器件可望在不同接收功率的系統中得到應用。總之，氮化鎵射頻肖特基勢壘二極管可望提高微波無線電能傳輸中的天線整流電路的 RF/DC轉換效率，應用前景可觀。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】