第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰掌握著技術(shù)的高地，誰就擁有更多的話語權(quán)。

 

會議現(xiàn)場

 

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

　　“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”作為論壇重要技術(shù)分會之一，會上，來自日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》研究報告。

 

　　敖金平博士1989年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理系，獲學(xué)士學(xué)位。1992年獲電子工業(yè)部第十三研究所半導(dǎo)體物理與半導(dǎo)體器件物理碩士學(xué)位。2000年獲吉林大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。曾擔(dān)任電子工業(yè)部第十三研究所GaAs超高速集成電路研究室副主任，高級工程師。2001年赴日本國立德島大學(xué)作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學(xué)術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表論文200余篇，擁有多項發(fā)明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員，美國電氣化學(xué)協(xié)會(ESC)會員，日本應(yīng)用物理學(xué)會會員以及日本電子情報通信學(xué)會會員。

 

　　報告中介紹到，無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天線整流電路中實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的器件。這種肖特基勢壘二極管需要具備低導(dǎo)通電阻、低結(jié)電容和低開啟電壓。

 

　　介紹了用于微波無線電能傳輸?shù)牡壭ぬ鼗鶆輭径O管。利用反應(yīng)性磁控濺射合成的TiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的開啟電壓。反之，利用反應(yīng)性磁控濺射合成的NiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的反向漏電流。不同的器件可望在不同接收功率的系統(tǒng)中得到應(yīng)用。總之，氮化鎵射頻肖特基勢壘二極管可望提高微波無線電能傳輸中的天線整流電路的 RF/DC轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)用前景可觀。【根據(jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解！】