碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　會上，邀請到了加拿大GaNPower International Inc. 副總裁兼聯合創始人傅玥分享了《氮化鎵：啟動未來》研究報告。傅玥，電子工程博士，美國電工與電子工程師學會（IEEE）高級會員，中國電源學會元器件專家委員會委員，獲得美國中佛羅里達大學電子工程博士學位。2015年傅玥聯合其他幾位在加拿大相關領域卓有建樹的專家在溫哥華成立加拿大GaNPower International Inc.，并使其成為全球最早推出商用增強型氮化鎵功率器件產品的公司之一。2018年GaNPower International Inc.在蘇州工業園區成立蘇州量微半導體有限公司，傅玥出任該公司總經理。

 

　　報告聚焦氮化鎵的實際應用技術。首先從目前基礎的氮化鎵器件的結構、制備、參數測試開始介紹。第二部分主要介紹氮化鎵柵極驅動，其中涉及氮化鎵IC封裝技術。第三部分介紹功率電子系統中的氮化鎵應用，比如氮化鎵USB PD快充適配器。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】