2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　氮化鎵材料憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，穩(wěn)穩(wěn)地占領了理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，確立了其在制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。

　　會上，邀請到了美國Transphorm Inc.高級副總裁YifengWU先生分享了《擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件》技術報告。Transphorm致力于讓功率電子設備突破硅極限。公司設計、制造并銷售用于高壓電源轉換應用的具備最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm是首家發(fā)布出廠器件現(xiàn)場故障數(shù)據(jù)的高電壓GaN FET供應商。該數(shù)據(jù)用于計算以百萬分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現(xiàn)場故障率，以顯示這項技術的可靠性。現(xiàn)場數(shù)據(jù)的可用性是功率系統(tǒng)中高電壓GaN重要的新指標，因為它表明技術的成熟性。

 

　　事實上，市場顯示的軌跡呈正增長趨勢。市場研究和戰(zhàn)略咨詢公司Yole Développement (Yole)報告稱，到2023年，功率GaN市場規(guī)模將快速擴大，達到4.08億美元，復合年增長率(CAGR)為91%.1有望推動增長的高電壓應用包括快速充電器、數(shù)據(jù)中心及其他高端電源。【內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】