11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質外延薄膜、測試表征和相關的設備，對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV， 鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。,北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛共同主持了本次分會。
中國科學院半導體研究所何亞偉做了題為“基于深層瞬態光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究”的主題報告，介紹了晶圓生長中的深層缺陷，退火對深層缺陷的影響，碳注入以增加載流子壽命等內容。報告指出，表面粗糙度隨退火溫度的不同而變化，特別是當溫度達到1400℃時，表面粗糙度開始急劇下降。載流子壽命隨著退火溫度的升高而降低。氧化有效降低了Z1 / 2缺陷濃度，但產生了一些新的深能級。碳注入和隨后的退火可以改善載流子的壽命，但同時也受到樣品表面嚴重降解的限制。碳注入和隨后在1600℃下退火的技術是延長載流子壽命的最佳方法。較高的退火溫度導致較高的Z1 / 2缺陷濃度。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
