作為光電子領域的核心組成部分，半導體光電裝備、材料及工藝決定了光電器件的性能、成本和應用范圍，當前正處于快速發展之中。新技術的不斷涌現推動了光電器件的性能提升和應用擴展。未來的發展將集中在提高制造精度、降低成本、拓展應用范圍以及實現更高性能的新型光電材料和器件上。新興技術，如二維材料、量子點、鈣鈦礦、Micro-LED等將不斷推動光電顯示、光通信、傳感器和計算等領域的創新和應用。
9月27日，“2024南昌國際半導體光電技術與顯示應用博覽會暨首屆南昌半導體光電產業高質量發展論壇”（簡稱“南昌光電博覽會”）于江西南昌綠地國際博覽中心舉行。本屆博覽會以“光耀世界·引領未來”為主題，在南昌市人民政府、江西省工信廳指導下，由中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，南昌高新技術產業開發區管委會、江西省半導體照明產業協會等單位承辦。
本屆博覽會以“展覽+論壇”的模式，聚合國內頂級行業嘉賓，洞悉全球半導體光電產業發展態勢，解讀產業政策走向，研判產業發展趨勢，致力于打造綜合性行業盛會，推動建設江西以南昌為中心，覆蓋全國、面向全球的半導體光電產業應用基地與開放創新平臺。
南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌
廈門大學教授康俊勇
除開幕大會，論壇設有4場主題分論壇，4場技術與標準研討會，將圍繞“半導體光電裝備、材料、器件及工藝”、“車用光電子技術及應用”、“智慧健康照明技術及應用”、“光電顯示技術與應用”等主題展開探討。期間，“半導體光電裝備、材料、器件及工藝”主題分論壇上，來自南方科技大學、中微公司、蘇州長光華芯半導體激光創新研究院、德瑞光電、格恩半導體、遠方光電、HORIBA、新微半導體等高校、科研院所、知名企業的嘉賓們帶來精彩報告，分享設備工藝等最新研究進展與趨勢。南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌，廈門大學教授康俊勇共同主持了分會。
南方科技大學納米科學與應用研究院教授張保平
《GaN基VCSEL研究》
GaAs VCSEL已經得到廣泛應用，在激光器小型化，可見光通信、光纖通信、微型激光投影、激光照明等領域具有廣泛的應用前景。南方科技大學納米科學與應用研究院教授張保平帶來了”GaN基VCSEL研究“的主題報告，分享了相關研究進展以及研究成果。涉及VCSEL工藝過程、紫外VCSEL、藍光VCSEL、綠光VCSEL、MOCVD制備InGaN量子點。其中，報告指出，其研究得到目前為止波長最短的VCSEL，也是世界上第一個在UVC波段（200~280nm）激射的VCSEL。未來，將關注用于<400nm的電驅動VCSEL，大于565nm的VCSEL激光，400-565nm的高功率、低電流VCSEL等。
中微公司集團副總裁 、MOCVD產品部總經理郭世平
《MOCVD外延裝備的發展：從LED照明到LED顯示》
GaN LED已廣泛應用于照明和顯示應用，Mini LED和Micro LED有望滲透到更多的顯示應用中。中微公司集團副總裁 、MOCVD產品部總經理郭世平帶來了”MOCVD外延裝備的發展：從LED照明到LED顯示“的主題報告，分享了GaN基LED應用，AMEC MOCVD設備發展現狀，以及下一代MOCvD設備的技術趨勢。報告指出，AMEC MOCVD已被大多數LED制造商用于LED照明和顯示應用。自動化、互聯和AI-供電將是MOCVD設備技術發展的未來趨勢。
蘇州長光華芯半導體激光創新研究院執行院長李順峰
《高功率半導體激光器研究進展》
蘇州長光華芯半導體激光創新研究院執行院長李順峰帶來了”高功率半導體激光器研究進展“的主題報告，分享了相關研究進展，涉及高功率邊發射激光器、面發射激光器等。報告指出，高功率半導體激光器向著更高功率、更高亮度、更高效率、更多波長，新應用和更低成本的趨勢發展。
江西德瑞光電技術有限責任公司總經理柯毛龍
《紅光VCSEL芯片進展及應用》
與EEL激光器相比，VCSEL具有體積小、閾值電流低、功耗低，調制帶寬高 （100G），圓形光束、易與光纖耦合等優勢，VCSEL 在大規模取代 EEL。江西德瑞光電技術有限責任公司總經理柯毛龍帶來了”紅光VCSEL芯片進展及應用“的主題報告，介紹了紅光VCSEL芯片研發和性能、紅光點光源、其他VCSEL產品及應用等內容。
安徽格恩半導體有限公司副總經理鄧和清
《高功率氮化鎵半導體激光器研發進展》
安徽格恩半導體有限公司副總經理鄧和清帶來了”高功率氮化鎵半導體激光器研發進展“的主題報告，分享了最新研究進展與成果。報告指出，其研究在外延、芯片制造和封裝技術方面取得了重大進展。開發了一種5W高效藍色激光器，WPE為45%，壽命超過20000小時。實現了脈沖輸出功率超過15W的高功率藍色激光器，實現了38%的WPE。
杭州遠方光電信息股份有限公司研究員唐憲
《Micro-LED關鍵性能及光電檢測技術》
杭州遠方光電信息股份有限公司研究員唐憲帶來了“Micro-LED關鍵性能及光電檢測技術”的主題報告，報告分享了外量子效率測量、亮度色度及缺陷測量、顯示器件綜合特性測量的研究進展、挑戰與相關解決方案。報告指出，隨著LED尺寸的縮小，特別是Micro-LED尺寸達到3 um，小電流密度下的外量子效率急劇降低，這主要是由于制造過程中等離子體刻蝕產生的側壁損傷引入了非輻射復合中心和漏電流。標準LED制造中，整個晶圓上的波長變化在6-12nm，而Micro-LED的波長均勻性要做到2nm以內。需要高精度光譜儀、高穩定納安源。亮度色度及缺陷測量方面，高分辨率AOI系統、高分辨成像彩色亮度計非常重要。
HORIBA （中國） 半導體BD經理張銳
《面向光電半導體與顯示行業的光譜解決方案》
HORIBA （中國） 半導體BD經理張銳帶來了”面向光電半導體與顯示行業的光譜解決方案“的主題報告，分享了相關解決方案，包括橢偏儀，穩瞬態熒光光譜儀、激光共聚焦顯微拉曼光譜儀、輝光放電光譜儀等。
上海新微半導體有限公司王國華
《追光逐電新力量 賦能制造“芯”時代”》
光電芯片具有廣泛的應用場景，車載領域激光雷達加速帶動光芯片需求。全球移動通信、數據中心等領域通信系統向更快傳輸速率升級，更高速率激光芯片需求快速釋放。低速光芯片的國產化進程已基本完成，高速光芯片的國產化份額還有待提升。在國內光芯片市場中，2.5G和10G光芯片的國產化程度已經相當高。上海新微半導體有限公司王國華帶來了“追光逐電新力量 賦能制造“芯”時代”的主題報告，分享了光電半導體發展現狀、光電技術類型、光電工藝平臺進展。涉及邊發射激光器性能模擬與設計支持、EML激光器模擬與設計支持、探測器芯片模擬與設計支持、激光器端面鍍膜模擬等。報告指出，光電芯片技術向著高速度、大功率、寬溫度、低功耗、多功能方向發展。
除了主題論壇，本屆博覽會同期還有展覽展示、CSA二十周年紀念活動，CSAS技術與標準研討會、CSAS Micro-LED標準專題研討會、CSAS 健康照明標準專題研討會、CSAS 紫外LED標準專題研討會等聯動活動，共同探討促進產業鏈各環節的協同發展。
博覽會展覽展示面積10000平方米，百余家知名廠商參與展示。展品范圍包括戶外照明、燈具及燈飾、LED設備及測試設備、顯示應用、智慧照明、LED封裝、照明電器產品專用材料、電光源產品、照明電器配套等，為產業鏈的升階發展搭建供需精準對接平臺，助力企業高效、強力拓展目標客戶資源，全面賦能產業全鏈路打造高質量發展新引擎，打造半導體光電領域的標桿性展會。
展會現場花絮
展會現場花絮
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寧波電子參展團
