宜普公司為功率系統(tǒng)設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應用于負載點（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅(qū)動器。

 

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC2049功率晶體管，應用于負載點（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、包絡跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅(qū)動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導通電阻為5 m?及脈沖輸出電流為175 A。

　　與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米（3.75平方毫米）。 設計師不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產(chǎn)品，而是二者可以同時兼得！

 

　　EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升eGaN?器件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績效差距正在繼續(xù)擴大?！?/div>