【中國半導體照明網專稿】2015年9月13日，由北京大學、中科院蘇州納米所、中科院半導體所、南京大學、東莞市中鎵半導體、蘇州納維科技共同承擔的863計劃“大尺寸氮化鎵襯底制備與同質外延技術研究”課題順利通過由科技部第三代半導體材料項目管理辦公室組織的課題中期檢查。課題單位在國內首次成功實現了250微米的4英寸GaN自支撐襯底，對提升我國氮化鎵襯底技術在國際上的地位具有十分重要的意義。
圖1.實現分離的自支撐GaN厚膜和藍寶石襯底
此外，課題組在同質外延生長、2英寸GaN自支撐襯底和GaN/Al2O3復合襯底的產業化、多片HVPE產業化設備的研制等方面均取得了較大進展，同質外延生長的GaN薄膜的位錯密度1.3?107cm-2，2英寸GaN自支撐襯底和GaN/Al2O3復合襯底的產能分別達到500片/年和10000片/年，21片HVPE設備完成安裝調試，并已經能夠生長出質量均勻性良好的15-25微米的GaN/Al2O3復合襯底。
圖2. 21片HVPE設備及制備的2英寸GaN/Al2O3復合襯底
