中國半導體照明網訊：由江西省昌大光電科技有限公司承擔863計劃“高頻高功率電子器件用大尺寸Si襯底GaN基外延材料生長技術”課題,通過一年多的努力，取得了階段性的成果，2015年9月15日，順利通過了由第三代半導體材料項目管理辦公室組織的課題中期檢查。
課題組在降低大尺寸Si襯底上生長GaN薄膜的位錯密度、均勻性和整片外延的翹曲度，提升GaN薄膜質量方面取得了系列進展，同時對提高GaN器件性能等面做了系統的工藝探索工作，為最終完成課題任務指標打下了很好的基礎。迄今，該課題8英寸Si襯底上生長的GaN薄膜的厚度為3微米，8英寸外延片的整片翹曲度小于50微米，GaN薄膜位錯密度達到1×108 cm-2，（002）XRD掃描半高寬低于350 arcsec，（102）XRD掃描半高寬低于400 arcsec；所制作的HEMT遷移率達到2200 cm2/Vs，載流子面密度達到9e12/cm2，方塊電阻達到300Ω/sq。
