【中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)專稿】2015年9月14日，由山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司牽頭，中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、山東大學(xué)、西安交通大學(xué)、株洲南車時代電氣股份有限公司共同承擔(dān)的863計劃“6英寸SiC襯底制備及同質(zhì)外延技術(shù)研究”課題順利通過科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查。
6英寸SiC單晶
課題在6英寸SiC單晶生長爐的設(shè)計與制造、6英寸SiC單晶生長和襯底加工、SiC單晶缺陷分析與控制、SiC快速外延、肖特基二極管研制、SiC混合功率模塊設(shè)計等方面取得了一系列進(jìn)展：完成了6英寸SiC單晶生長爐設(shè)計與制造，并成功生長出n型4H-SiC單晶，加工出6英寸SiC拋光片；4英寸n型SiC微管密度0.3個/cm2，螺位錯密度420個/cm2，XRD搖擺曲線（004）和（102）半峰寬分別為25.7弧秒和22.5弧秒；SiC襯底上同質(zhì)外延材料摻雜濃度不均勻性2.1%，厚度不均勻性1.04%，表面粗糙度0.237 nm；肖特基二極管阻斷電壓高于1200V，反向漏電流0.7 μA，1.7V正向電壓導(dǎo)通電流大于15A，部分關(guān)鍵指標(biāo)已提前完成課題任務(wù)，為整個課題順利驗收奠定基礎(chǔ)。
6英寸SiC單晶
1200V/15A SiC SBD
