【中國半導體照明網(wǎng)專稿】2015年9月14日，由山東天岳先進材料科技有限公司牽頭，中國電子科技集團公司第五十五研究所、山東大學、西安交通大學、株洲南車時代電氣股份有限公司共同承擔的863計劃“6英寸SiC襯底制備及同質(zhì)外延技術(shù)研究”課題順利通過科技部第三代半導體材料項目管理辦公室組織的中期檢查。
6英寸SiC單晶
課題在6英寸SiC單晶生長爐的設(shè)計與制造、6英寸SiC單晶生長和襯底加工、SiC單晶缺陷分析與控制、SiC快速外延、肖特基二極管研制、SiC混合功率模塊設(shè)計等方面取得了一系列進展：完成了6英寸SiC單晶生長爐設(shè)計與制造，并成功生長出n型4H-SiC單晶，加工出6英寸SiC拋光片；4英寸n型SiC微管密度0.3個/cm2，螺位錯密度420個/cm2，XRD搖擺曲線（004）和（102）半峰寬分別為25.7弧秒和22.5弧秒；SiC襯底上同質(zhì)外延材料摻雜濃度不均勻性2.1%，厚度不均勻性1.04%，表面粗糙度0.237 nm；肖特基二極管阻斷電壓高于1200V，反向漏電流0.7 μA，1.7V正向電壓導通電流大于15A，部分關(guān)鍵指標已提前完成課題任務(wù)，為整個課題順利驗收奠定基礎(chǔ)。
6英寸SiC單晶
1200V/15A SiC SBD
