科技部中期檢查現場
 

　　該課題針對直徑4、6英寸SiC單晶生長和加工技術以及SiC襯底上的高質量GaN外延生長開展了研究，并通過制備器件驗證襯底和外延層質量，在提高4英寸和6英寸SiC晶體質量、降低微管密度、改善表面質量、SiC襯底上GaN異質結構的外延生長、以及GaN基HEMT器件研制等方面取得了一系列進展，4英寸導電和半絕緣4H型SiC晶體XRD搖擺曲線半高寬25和30arcsec，微管密度0.25和1.34個cm-2，晶片Warp、Bow、TTV、LTV檢測結果分別達到15μm、-8μm、3.5μm和1.5μm，表面粗糙度小于0.3nm，晶片加工質量接近國際同類產品的標準，現有技術可以加工出低表面粗糙度、無劃傷、無亞損傷的4英寸4H晶片。已生長出6英寸導電型SiC晶體，并開展晶片加工技術研發。GaN外延層位錯密度3x107cm-2，GaN基HEMT器件擊穿電壓700V。為最終完成課題任務指標打下了良好基礎。

　　4英寸4H偏振光觀察無相變反饋6英寸4H導電型晶體