【中國半導體照明網專稿】AlGaN材料是一種重要的直接帶隙、寬能帶半導體材料，是研制紫外、深紫外光電器件的關鍵基礎材料。863計劃“高鋁組分氮化物材料制備技術研究”課題由中國科學院半導體研究所承擔，參與單位包括北京大學、廈門大學、西安交通大學和廈門市三安光電科技有限公司。該課題重點開展高質量高鋁（Al）組分氮化物材料外延制備關鍵技術研究。
第三代半導體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現場檢查工作
第三代半導體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現場檢查工作
2015年9月13日，第三代半導體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現場檢查工作。課題組匯報了在AlN和AlGaN材料外延制備、摻雜、高效量子結構設計與實現的創新性工作。
通過多周期中溫插入層、高低溫調制、襯底氮化處理及微米級圖形襯底等技術，降低材料的位錯密度，獲得了表面粗糙度小于0.2納米，Al組分在30-90%連續可控的AlGaN材料。在高質量外延材料的基礎上，課題組成功制備出深紫外激光二極管（LD），在國內率先實現波長在280 納米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，標志著我國相關研究步入國際先進行列。
通過多周期中溫插入層、高低溫調制、襯底氮化處理及微米級圖形襯底等技術，降低材料的位錯密度，獲得了表面粗糙度小于0.2納米，Al組分在30-90%連續可控的AlGaN材料。在高質量外延材料的基礎上，課題組成功制備出深紫外激光二極管（LD），在國內率先實現波長在280 納米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，標志著我國相關研究步入國際先進行列。
圖2 AlGaN基紫外激光器的光泵浦激射：主發光峰為288納米
