中國半導體照明網訊：鈣鈦礦氧化物材料作為一種新興的半導體材料，近年來受到人們的廣泛關注，尤其是高溫超導和巨磁電阻現象的發現，在世界范圍內掀起了鈣鈦礦氧化物材料的研究熱潮，在材料方面和相關理論研究方面，都取得了很大的進展。
山西春明激光科技有限公司與中國科學院半導體研究所、中國科學院物理研究所共同承擔了863計劃“鈦酸鍶與鋁酸鑭薄膜制備技術及器件開發”課題，課題于2015年9月16日通過了科技部組織的中期現場檢查。
課題組聯合攻關，突破L-MBE設備用大脈沖能量激光器關鍵技術，實現了高能量的紫外脈沖激光器，體積僅為進口激光器的1/3，脈沖穩定性和脈沖寬度優于進口激光器，并將其成功集成的自主研制的外延腔中，實現了全國產化的激光L-MBE設備，并初步實現高質量鈣鈦礦氧化物薄膜材料的生長。從根本上打破國內寬禁帶半導體行業發展依賴于進口設備的局面，這將會促進我國寬禁帶半導體材料的快速發展，也是我國寬禁帶半導體材料實現創新跨越發展的必然趨勢。
圖1 自主研發激光器與進口激光器體積比較
圖2 自主研制L-MBE設備
圖3 中期檢查匯報現場
