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2025-08-11 19:38浪潮華光主持制定國家標準《LED外延芯片用砷化鎵襯底》正式發布
2025-07-16 14:20天晶12英寸藍寶石襯底量產，可滿足Micro LED制造需求
2025-07-14 15:20聚燦光電獲得發明專利授權：“一種基于氧化鋁氧化硅復合襯底的LED芯片及其制造方法”
2024-09-10 16:18思坦科技取得微型發光模組相關專利，能在同一襯底上實現特定單元且模組結構簡單等
2024-07-25 10:28利亞德：今年下半年公司將推出50μm以下無襯底芯片的Micro產品
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2024-01-29 15:10晶能光電獲批牽頭籌建江西省技術標準創新基地（硅襯底半導體照明）
2024-01-15 08:59江西南昌大力推動硅襯底發光二極管藍光技術開發應用
2023-11-14 09:51國星光電透明襯底MIP器件加碼賦能超高清顯示產業
2023-09-19 11:08奧趨光電王琦琨：高透過率AlN單晶襯底基Far-UVC器件進展
2023-09-18 11:05晶能光電周名兵：硅襯底GaN基近紫外LED技術開發及應用
2023-08-18 11:45旭化成旗下CrystalIS宣布生產4英寸氮化鋁單晶襯底，可用于紫外線LED
2023-08-10 14:23Crystal IS宣布推出首款4英寸AlN襯底
2023-05-31 11:45中圖半導體增資項目用地摘牌總投資10億元建設8英寸圖形化襯底線等
2023-03-30 14:23Crystal IS發布基于AlN單晶襯底新一代UVC-LED樣品功率提升60%
2023-01-06 09:31IFWS&SSLCHINA2022前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術分會日程出爐
2022-06-14 15:47硅襯底AlGaInP紅光micro-LED的尺寸效應研究進展
2022-03-16 17:07UV LED襯底材料對比解析
2021-12-24 18:09中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所唐永軍：硅襯底GaN基激光器研究進展
2021-12-21 18:16晶能光電“硅襯底紫外LED外延項目”順利通過驗收
2021-11-30 14:23第三代半導體產業乘風破浪，誰將會傲立潮頭？
2021-08-31 15:53露笑科技上半年營收凈利雙增長，將于9月小批量生產碳化硅襯底片
2021-08-17 14:02新微化合物一期項目設備即將進場，華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目下半年開工
2021-06-07 17:06偉嘉晶創藍寶石手機屏及LED襯底項目落地上海金山
2021-03-05 09:16LED襯底產商博藍特申報科創板審核狀態為已問詢
2020-12-09 16:36北京大學楊學林：硅襯底上氮化物大失配異質外延生長
2020-12-08 15:59中科院寧波材料技術與工程研究所郭煒：鋁鎵氮深紫外量子阱及LED，斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究
2020-11-18 15:14江蘇南大光電楊敏博士將出席SSLCHINA2020 邀您參加襯底、外延及生長裝備分會
2020-11-03 14:30【SSLCHINA&IFWS 2020 】看襯底、外延及生長裝備最新進展
2020-04-28 08:09【極智課堂】深圳大學材料學院劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導體器件
2020-04-24 09:20關乎UVC LED！研究發現藍寶石襯底上生長高質量AIN薄膜的方法
2020-01-15 00:00新發現：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
2020-01-14 11:30新發現：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
2020-01-06 16:52徐州市全力構建第三代半導體全產業鏈，總投資60億
2019-12-11 17:39挪威科學技術院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
2019-12-04 11:442019年全球LED襯底廠商綜合競爭力排名
2019-11-29 10:34日本鈴木平木和雄：針對小尺寸 LED襯底的各向異性導電膠和夾環的簡化工藝
2019-11-28 14:13挪威科學技術院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
2019-11-27 17:42日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長坂田修身：同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化
2019-11-27 17:39俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV：碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬
2019-11-27 11:36美國NAURA-Akrion首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術
2019-11-27 10:11日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
2019-11-26 22:43SSLCHINA & IFWS 2019：襯底、外延及生長裝備分會深圳召開
2019-11-19 10:34中科大孫海定課題組利用襯底斜切角調控量子阱實現三維載流子束縛，突破紫外LED性能
2019-11-06 09:42SSLCHINA&IFWS2019丨襯底、外延及生長裝備（SiC·GaN）分會日程出爐
2018-12-13 10:01剖析丨InP襯底的制備以及產業化現狀
2018-11-30 08:46上海大革成功開發導電型4H4寸碳化硅襯底
2018-11-01 19:27南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
2018-10-31 19:00西安交通大學田震寰博士：激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字塔型柔性氮化鎵基LED
2018-10-31 17:46北京大學馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究
2018-05-28 11:57南昌光谷控股長方集團加速硅襯底LED產業化
2017-12-21 08:58日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術
2017-11-09 10:44乾照光電技術副總監陳凱軒：藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝
2017-11-03 10:52北京大學教授陳志忠：基于納米圖案藍寶石襯底通過MOCVD生長藍綠色LED
2017-09-13 10:20南昌：讓“世界芯”變成產業雄“芯”
2017-08-28 07:50華燦光電子公司藍晶科技投資10億擴建年產3500萬片LED襯底片項目
2017-07-31 09:58南昌憑借硅襯底LED技術優勢讓中國光源點亮創新市場
2017-02-07 09:27硅襯底LED技術在南昌產業化發展之路
2016-12-05 11:19三安光電藍寶石項目三期啟動擬投資32.66億新增PSS襯底200萬片/月
2016-11-29 08:40【SSLCHINA 2016】愛思強Jens Voigt：藍寶石襯底上使用31x4”規格的Aixtron AIX R6 MOCVD設備大規模生產InGaN基藍光LED
2016-11-29 08:37【SSLCHINA 2016】徐科：氮化鎵襯底生長的最新進展
2016-11-22 13:32【IFWS 2016】劉揚: 基于選區外延技術制備具有高質量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強型GaN基MOSFET
2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征
2016-09-28 10:09LED藍寶石襯底盈利低手機屏幕成為企業新的“主戰場”
2016-09-21 09:21硅襯底LED產業鏈形成，9大產業布局提升南昌競爭力
2016-09-12 10:54新一代半極性氮化鎵發光材料研發歷程：帶來10倍亮度的照明
2016-08-04 11:11LED生產工藝全過程（襯底&磊晶篇）
2016-07-05 09:31硅襯底LED：定位中高端市場的底氣
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2016-01-07 09:20南大光電：三甲基銦是生產硅襯底LED關鍵MO原材料
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2015-11-05 09:57【SSLCHINA 2015】楊學林：采用較大晶格失配引致應力控制技術在Si襯底生長高遷移率AlGaN/GaN異質結
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2015-08-31 10:55SSLCHINA 2015最新播報之吳潔君：21片HVPE系統及GaN單晶襯底研究進展
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