高透過率AlN單晶襯底是制造Far-UVC器件的關(guān)鍵材料之一，它具有優(yōu)越的光學(xué)性能和生物安全性，可用于各種應(yīng)用，以實(shí)現(xiàn)空氣和水的凈化、食品安全和醫(yī)療設(shè)備的消毒等目標(biāo)。這些器件有望在未來的健康和安全領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

近日，以“構(gòu)建紫外新興業(yè)態(tài)、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化”為主題的“第三屆紫外LED國際會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)大會”在山西長治盛大開幕。會議由長治市人民政府、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，長治市發(fā)展和改革委員會、長治國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管委會承辦。

期間，“紫外LED殺菌及創(chuàng)新應(yīng)用分會”上，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CTO、博士王琦琨帶來了“高透過率AlN單晶襯底基Far-UVC器件進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享相關(guān)技術(shù)的研究成果與進(jìn)展,包括Ultratrend技術(shù)、AlN的性質(zhì)及其潛在應(yīng)用、AlN PVT生長工藝綜述、Al極性AlN晶體的生長與表征、AlN襯底在遠(yuǎn)紫外LED上的初步驗(yàn)證等。

報(bào)告指出，AlN在深紫外光電子、激光器和傳感器器件以及功率器件和快速電聲SAW/BAW器件中具有巨大的潛力。AlN襯底的高成本主要來自于晶體生長的技術(shù)難題，如雜質(zhì)去除、極高溫度工藝、耗材成本以及尺寸增大、產(chǎn)率低的迭代生長過程等。奧趨開發(fā)了內(nèi)部傳質(zhì)/過飽和/生長速率預(yù)測/3D應(yīng)力FEM模塊，以及一系列專有技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)第1代/第2代/第3代PVT生長反應(yīng)器，并生長大于2英寸的高質(zhì)量AlN晶體。材料表征顯示了2-in。生產(chǎn)級大塊AlN晶片。初步在C平面體AlN襯底上的遠(yuǎn)紫外LED（233nm）器件已經(jīng)成功演示，器件的制造和優(yōu)化仍在進(jìn)行中。

（以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）