【中國半導體照明網訊】近日，上海芯元基半導體科技有限公司成功開發出了適合大規模量產的化學腐蝕剝離外延層生長襯底的新技術，可以用來制作垂直結構的GaN基電子功率器件和高端薄膜結構的LED芯片。該技術克服了激光剝離技術的諸多缺點，解決了困擾產業界多年的產品良率和成本等問題。
與激光剝離技術相比，上海芯元基的化學剝離技術具有以下特征：一：工藝簡單，成本低，適合大規模量產；二、避免了激光剝離過程中激光能量和沖擊對外延層的損傷；三、結合MEMS技術，先剝離，再鍵合，徹底釋放器件外延結構中的應力。
據了解，上海芯元基由以郝茂盛博士為核心的LED行業資深專家于2014年10月創建，公司專注于具有自主知識產權和巨大產業前景的第三代半導體（GaN）材料和高端薄膜結構LED芯片的研發和量產，已經完成了從生長襯底、外延技術、芯片工藝、到器件封裝全產業鏈的專利布局，打破了國際巨頭對GaN基電子器件和薄膜結構LED芯片的技術壟斷，對發展我國第三代半導體材料技術意義重大。
