11月3日上午，為期三天的第十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2015）在深圳會展中心隆重舉行了開幕式。這是論壇告別深圳五年后，再次榮耀歸來。論壇緊扣時代發(fā)展脈搏與產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，以“互聯(lián)時代的LED+”為大會主題，探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展大勢。

 

　　論壇期間舉辦的各類同期活動更可謂是一場場思想碰撞的精神盛宴。

 

　　3日下午，在論壇隆重召開之際，2015中國國際第三代半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用高峰論壇在深圳會展中心五層玫瑰廳-1如期舉行，來自與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的科研院所、研發(fā)機(jī)構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)等代表也如約而至，共同探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展、技術(shù)前沿與應(yīng)用趨勢，為搶占國際半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點(diǎn)獻(xiàn)計獻(xiàn)策。

 

　　北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心副主任沈波；香港科技大學(xué)教授陳敬教授共同主次了本次論壇。

 

 

　　北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林做了“采用較大晶格失配引致應(yīng)力控制技術(shù)在Si襯底生長高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)”主題報告。

 

　　他表示，在目前的工作中，在低鋁含量AlGaN層上采用較大晶格失配引致應(yīng)力控制技術(shù)在4英寸Si襯底上生長高質(zhì)量GaN層。應(yīng)用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，在單電荷密度為8.4×1012 cm-2下電子遷移率為2040cm2 /(V·s)。研究結(jié)果為低成本高性能的硅基氮化鎵功率器件的制造提供很大的潛在可能性。