11月3日上午，為期三天的第十二屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2015)在深圳會展中心隆重舉行了開幕式。論壇緊扣時代發展脈搏與產業發展趨勢，以“互聯時代的LED +”為大會主題，探討產業發展大勢。
論壇期間舉辦的各類同期活動更可謂是一場場思想碰撞的精神盛宴。
3日下午，在論壇隆重召開之際，2015中國國際第三代半導體技術與應用高峰論壇在深圳會展中心五層玫瑰廳如期舉行，來自與第三代半導體相關的科研院所、研發機構、大專院校、龍頭企業、工程設備公司等代表也如約而至，共同探討第三代半導體發展、技術前沿與應用趨勢，為搶占國際半導體領域戰略制高點獻計獻策。
北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心副主任沈波;香港科技大學教授陳敬教授共同主次了本次論壇。
香港科技大學電子與計算機工程系教授陳敬
寬禁帶GaN功率開關器件因其能夠實現低損耗傳導、高頻轉換和高溫作業而在制造高轉換效率緊湊型功率轉換系統中有很高的需求。由于制造成本較低，Si基GaN橫向異質結場效應晶體管目前是產品開發的重點，其中常開型FET被用于混合型(即低壓Si MOSFET和高壓GaN FET)共源共柵結構，而常規型GaN FET被用于僅采用GaN的解決方案。
香港科技大學電子與計算機工程系教授陳敬在“穩定可靠的GaN異質結構功率器件”的主題報告中，介紹了幾種使得GaN MIS-HEMT及MOSC-HEMT的柵極絕緣層的穩定性及可靠性得以增強的技術。具體包括：在電介質與GaN間構造低陷阱密度界面的氮化界面層(NIL)技術;常關型GaN晶體管的NIL、柵槽與氟離子注入的整合;LPCVD(低壓化學氣相沉積)制備的低泄露長壽命SiNx柵極絕緣層。
GaNMIS-HEMT(金屬-絕緣層-半導體HEMT)或MOSC-HEMT(MOS-通道HEMT)具有抑制柵泄露和擴大柵擺動的優勢，因而在高壓電源開關方面比傳統肖特基柵HEMT更為受歡迎。
然而，柵極絕緣層的添加能夠產生新的電介質/ III-N界面，由于在界面上通常存在高密度(1012–1014 cm-2eV-1)淺阱和深阱(含短和長發射時間常數τit)。這些阱的動態充電/放電過程將導致閾值電壓(VTH)的不穩定性。
此外，柵極絕緣層內的體陷阱，尤其是重要電介質/ III-N界面附近的邊界陷阱，會緩慢限制/釋放在前向或反向柵偏壓應力下的載體，導致VTH的漸變及可能的柵降解。
