中國半導體照明網訊：半導體照明產業發展日新月異，技術也在不斷更新迭代中加速向前。受到“互聯網+”大背景的影響，智能照明成為半導體照明新的發展方向。那么，隨著產業及市場的不斷成熟，經過行業人士不斷努力，從芯片、器件、封裝、模組各環節技術有何新進展?
會議現場
會議現場
2015年11月4日上午，在第十二屆中國國際半導體照明論壇同期舉行由國家半導體照明工程研發及產業聯盟主辦，木林森股份有限公司、華燦光電股份有限公司、歐司朗(中國)照明有限公司、上海科銳光電發展有限公司、普瑞光電股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、北京康美特科技有限公司、廣東德豪潤達電氣股份有限公司的鼎力協辦的“芯片、器件、封裝與模組技術分會II”在深圳會展中心隆重舉行。
挪威科技大學教授、挪威科學院院士Helge Weman先生
來自挪威科技大學教授、挪威科學院院士Helge Weman先生首先分享了《高效率深紫外LED的GaN/AlGaN奈米結構在石墨烯選擇性區域的生長》技術報告。Helge Weman先生表示，對于深紫外LED來說，AlGaN奈米結構在石墨烯選擇性區域的生長能夠帶給現有的AlGaN薄膜技術以真正的優勢。石墨烯的優勢在于既能在深紫外中用作透明電極（與ITO對比），又能在AlGaN生長中用作近似晶格匹配外延襯底。通過在掩膜圖案石墨烯選擇性區域上生長AlGaN奈米結構，將能夠獲得無錯位的AlGaN奈米結構。
華燦光電股份有限公司副總裁 王江波
對于芯片技術的革新，LED芯片大廠的嗅覺往往最為靈敏。來自華燦光電股份有限公司副總裁王江波則分享了《PVD AlN緩沖器在GaN基LED晶片的應用》技術報告。他表示，物理氣相沉淀（PVD）AlN緩沖器被用于GaN基LED在4英寸圖形化襯底（PSS）上的生產。采用X射線衍射、AFM和橢圓計對4英寸藍寶石平面上的PVD AlN薄膜性質進行分析。與MOCVD GaN緩沖器生長的傳統LED相比，MOCVD在4英寸PSS上采用PVD AlN緩沖器生長的GaN基LED表現出具備光滑的表面形態、更高的反向電壓、更好的ESD產出及更大吞吐量等優勢。
杭州遠方光電信息股份有限公司光學科學研究所副所長 劉騰海
來自杭州遠方光電信息股份有限公司光學科學研究所副所長劉騰海分享了《關于LED測量和合格評定國際標準的革命和解決方案》技術報告；易美芯光科技有限公司芯片研發副總裁朱皓分享了《采用藍寶石激光剝離封裝與制造的垂直結構UVLED器件》。
易美芯光科技有限公司芯片研發副總裁 朱皓
其中，易美芯光科技有限公司芯片研發副總裁朱皓在報告介紹了一種垂直結構UV LED器件的設計、制造與封裝。激光剝離（LLO）法被用于制造45mil x 45mil的LED，從而能夠從外延上去除藍寶石襯底和吸收性GaN層。通過這種方法能夠最小化外延的紫外光吸收，從而大幅提升器件的功效。為實現更高效率UVA芯片的LLO工藝，器件性能與測試結果。此外，還探討了UV條件下的封裝技術和失效機制。
晶元光電股份有限公司研發中心創新應用群協理 許嘉良
緊接著，晶元光電股份有限公司研發中心創新應用群協理許嘉良分享了《LED芯片級封裝設計》報告，全面分析了CSP（芯片級封裝）技術在LED應用趨勢。晶元光電公司的中、低功率LED芯片和COB（板上芯片）器件的出貨量開始大大增加，公司CSP（芯片級封裝）倒裝芯片LED器件的需求將于2016年逐漸開始增加。
亮銳商貿（上海）有限公司 張艷軍博士
與此同時，半導體照明企業過去主要關注的是如何開發和生產好一個個獨立的產品，但是現在要開始把更多的注意力放在集成化的應用上了，比如系統的整合性，工程的設計應用、智能控制等。因為一個系統級的解決方案與單個燈具產品的應用有著巨大差別，尤其是在生命周期比較長或使用環境比較惡劣的條件下。亮銳商貿（上海）有限公司張艷軍博士分享了《LED系統整合的趨勢和挑戰》主題報告，給互聯時代的LED+帶來了新的思考。
廣東德豪潤達電氣股份有限公司芯片副總裁、博士 莫慶偉
廣東德豪潤達電氣股份有限公司芯片副總裁、博士莫慶偉分享了《精于芯，簡于形--LED芯片及封裝技術發展趨勢淺議》報告；他認為，簡化工藝流程，減少人工犯錯。比如CSP產品簡化了封裝流程，帶來成本的降低質量的提高，未來圍繞CSP生態系統將會產生越來越多的方案。
中國科學院半導體研究所半導體照明技術研發中心 王欽金
最后，來自中國科學院半導體研究所半導體照明技術研發中心王欽金分享了《顛覆性創新的化學鍍銀GaN P-型反射電極》報告。他首先介紹了一種采用化學鍍銀（ESP）法在GaN上構造p-電極的新方法。他表示，在實驗中采用化學濕選法來獲得優越的反射電極，該方法使金屬鹽降解并在表面形成銀色金屬層。光致發光結果表明VLED上的ESP樣品在激光剝離后在光學性能上有顯著提升，比20mA正向電流下VLED上的EB樣品光輸出高出26.4%。與電子束沉積或濺射技術相比，該方法有著特別的優勢，如程序簡潔、電自由、設備成本低、涂層時間短及生產規模大等，由此表明采用化學鍍銀構造p-型反射器這一方法有潛力取代或顛覆GaN基LED。
至此，SSLCHINA2015芯片、器件、封裝與模組技術分會II到此結束，更多詳情期待后續報道。
