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- 2020-04-07 09:02募資15億！華燦投資Mini/Micro LED、GaN功率器件等
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- 2019-11-27 10:53比利時(shí)IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術(shù)
- 2019-11-27 10:49美國(guó)Transphorm高級(jí)副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時(shí)結(jié)溫超過150°C的氮化鎵功率器件
- 2019-11-27 10:38日本德島大學(xué)教授敖金平：常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
- 2019-11-27 10:03英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)
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- 2018-11-01 20:28蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元：以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
- 2018-10-31 18:20重慶大學(xué)教授葉懷宇：納米銅用于功率半導(dǎo)體封裝的工藝研究
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- 2018-10-31 18:04法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY：10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權(quán)衡
- 2018-10-26 17:40IFWS2018：功率器件封裝與應(yīng)用分會(huì)深圳召開
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- 2018-04-16 09:38科銳與Nexperia簽署GaN功率器件專利授權(quán)協(xié)議
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- 2017-11-07 10:09日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA：用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)
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- 2013-09-13 00:00張乃千： Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析
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