碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。
會上邀請到了比利時IMEC的高級業務發展經理Denis MARCON分享了《200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術：一個對于襯底供應商、制造商和代工工廠的全新機遇》研究報告。Denis Marcon于2006年取得意大利帕多瓦大學的碩士學位。隨后，他于2011年獲得魯汶天主教大學和IMEC的工程學博士學位，論文名為“基于功率氮化鎵的晶體管的可靠性研究”。目前，他是比利時IMEC的高級業務開發經理，直接負責IMEC在GaN功率電子領域以及基于Si的器件和傳感器的專門開發項目上的合作。
報告中總結現有IMEC的8英寸硅基氮化鎵E型器件制造技術并介紹我們是如何解決所遇到的挑戰。同時，IMEC的氮化鎵IC技術也將會被提到，并會介紹哪些應用可以借助此技術來實現。 IMEC首次展示了在標準（非專用）Si生產工廠中生產高性能200mm/8英寸GaN-on-Si晶體管的可能性。這為利用現有的200mm/8英寸硅生產線生產GaN基分立器件開辟了可能性。如今，IMEC已經在在性能和可靠性方面不斷改進，可用于100、200和650V功率交換應用。除此之外，IMEC還使下一代GaN技術具有更高的集成度和更寬的電壓范圍。
特別是致力于實現全GaN功率集成（IC）電路，其中所有組件（如半橋、驅動器、比較器、死區控制等）集成到單個GaN芯片中。這項技術改變了GaN的游戲規則，可與幾年前Si技術的情況相媲美，并使今天的現代電子技術成為可能。利用imec的GaN集成電路技術，設計者最終可以充分發揮GaN技術的潛力，在芯片上實現前所未有的復雜緊湊的電力系統。演講中，介紹了imec的8英寸/200mm GaN on-Si電子模式器件技術的現狀，以及如何應對和解決關鍵挑戰。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】
