2018年10月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦的第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會(huì)召開(kāi)。分會(huì)主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評(píng)價(jià)等方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名與家參加本次會(huì)議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評(píng)價(jià)的最新進(jìn)展。
法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來(lái)利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、研究員黃潤(rùn)華，中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級(jí)經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來(lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)主持了本屆分會(huì)。
碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體材料和功率器件技術(shù)的進(jìn)步使節(jié)能的功率開(kāi)關(guān)成為可能，其性能指標(biāo)比傳統(tǒng)的硅功率開(kāi)關(guān)具有更低的通電阻、更高的阻塞電壓、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的工作結(jié)溫。然而，這些寬帶隙器件的封裝正成為它們廣泛應(yīng)用的瓶頸。傳統(tǒng)的硅功率模塊封裝在絕緣金屬基板上，由于高寄生電感、低熱提取能力、低附著和基板可靠性以及低溫互連和封裝材料，限制了高性能SiC器件的潛力。
天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)分享了電動(dòng)汽車用平面型雙面水冷碳化硅模塊的封裝關(guān)鍵技術(shù)。介紹了研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的一種封裝解決方案，用于制造低調(diào)的、雙面冷卻的SiC電源模塊，以使電動(dòng)汽車的功率密度轉(zhuǎn)換大大提高。其封裝解決方案有三個(gè)關(guān)鍵的創(chuàng)新:(1)無(wú)線粘結(jié)，低寄生電感器件互連，碳化硅器件兩側(cè)有散熱能力;(2)燒結(jié)銀結(jié)合，提高熱電性能和熱機(jī)械可靠性;(3)高導(dǎo)熱系數(shù)、高可靠性的氮化硅直接粘結(jié)銅基板。同時(shí)他還介紹了一種60kw逆變器的模塊設(shè)計(jì)、材料選擇、模塊組裝過(guò)程以及模塊的測(cè)試結(jié)果。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
