本屆論壇將以“創芯聚智 共享生態”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括固態紫外器件技術、碳化硅材料與電力電子器件技術、氮化鎵材料與電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面，邀請國內外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。

 

　　法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY，天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權，西安交通大學教授王來利，重慶大學教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學院電工研究所研究員寧圃奇，香港應用科技研究院有限公司電子元件部高級經理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權主持了本屆分會。

 

　　碳化硅寬帶隙半導體材料和功率器件技術的進步使節能的功率開關成為可能，其性能指標比傳統的硅功率開關具有更低的通電阻、更高的阻塞電壓、更低的開關損耗和更高的工作結溫。然而，這些寬帶隙器件的封裝正成為它們廣泛應用的瓶頸。傳統的硅功率模塊封裝在絕緣金屬基板上，由于高寄生電感、低熱提取能力、低附著和基板可靠性以及低溫互連和封裝材料，限制了高性能SiC器件的潛力。

 

　　天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權分享了電動汽車用平面型雙面水冷碳化硅模塊的封裝關鍵技術。介紹了研究團隊開發的一種封裝解決方案，用于制造低調的、雙面冷卻的SiC電源模塊，以使電動汽車的功率密度轉換大大提高。其封裝解決方案有三個關鍵的創新:(1)無線粘結，低寄生電感器件互連，碳化硅器件兩側有散熱能力;(2)燒結銀結合，提高熱電性能和熱機械可靠性;(3)高導熱系數、高可靠性的氮化硅直接粘結銅基板。同時他還介紹了一種60kw逆變器的模塊設計、材料選擇、模塊組裝過程以及模塊的測試結果。

 

　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）