2018年10月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦的第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評價等方面，邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評價的最新進展。
法國國家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國權(quán)主持了本屆分會。
會上，法國國家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY帶來了10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權(quán)衡的報告。碳化硅晶體管可以實現(xiàn)10kV以上的阻塞電壓。這使得它們對能量傳輸和分配有很強的吸引力。雖然理論上SiC設(shè)備可以工作在高溫(超過200°C),SiC場效應(yīng)管的開態(tài)電阻強烈依賴于結(jié)溫。Cyril BUTTAY表示，研究結(jié)果表明，這些晶體管必須實際操作在一個相對較低的結(jié)溫(小于100°C)來提高轉(zhuǎn)換效率,防止熱失控。這種對高性能冷卻系統(tǒng)的要求對封裝技術(shù)產(chǎn)生了影響:相應(yīng)的電源模塊必須既具有高電壓絕緣又具有低熱阻。特別地，在碳化硅裝置和冷卻系統(tǒng)之間的陶瓷基板的厚度之間有一個權(quán)衡。Cyril BUTTAY及其研究團隊提出并證明了一種新的襯底結(jié)構(gòu)，其特點是提高了襯底的電壓強度而不增加襯底的厚度。
?。▋?nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
