2018年10月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦的第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專(zhuān)場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會(huì)召開(kāi)。分會(huì)主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評(píng)價(jià)等方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名與家參加本次會(huì)議展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評(píng)價(jià)的最新進(jìn)展。
法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來(lái)利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、研究員黃潤(rùn)華，中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級(jí)經(jīng)理李天河等中外同行專(zhuān)家，帶來(lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)主持了本屆分會(huì)。
會(huì)上，法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY帶來(lái)了10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權(quán)衡的報(bào)告。碳化硅晶體管可以實(shí)現(xiàn)10kV以上的阻塞電壓。這使得它們對(duì)能量傳輸和分配有很強(qiáng)的吸引力。雖然理論上SiC設(shè)備可以工作在高溫(超過(guò)200°C),SiC場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)態(tài)電阻強(qiáng)烈依賴(lài)于結(jié)溫。Cyril BUTTAY表示，研究結(jié)果表明，這些晶體管必須實(shí)際操作在一個(gè)相對(duì)較低的結(jié)溫(小于100°C)來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率,防止熱失控。這種對(duì)高性能冷卻系統(tǒng)的要求對(duì)封裝技術(shù)產(chǎn)生了影響:相應(yīng)的電源模塊必須既具有高電壓絕緣又具有低熱阻。特別地，在碳化硅裝置和冷卻系統(tǒng)之間的陶瓷基板的厚度之間有一個(gè)權(quán)衡。Cyril BUTTAY及其研究團(tuán)隊(duì)提出并證明了一種新的襯底結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是提高了襯底的電壓強(qiáng)度而不增加襯底的厚度。
?。▋?nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
