2018年10月23-25日，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。

 

　　25日上午，IFWS 2018之“氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會(huì)召開(kāi)。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會(huì)還涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　會(huì)上，日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學(xué)教授陳敬，電子科技大學(xué)教授明鑫，加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東，德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學(xué)高級(jí)工程師楊學(xué)林，中科院半導(dǎo)體所張翔等中外同行專(zhuān)家，帶來(lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測(cè)試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長(zhǎng)徐科，電子科技大學(xué)教授張波與中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所所長(zhǎng)、廣東省第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件工程技術(shù)研究中心主任劉揚(yáng)共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來(lái)的電流變化率和電壓變化率問(wèn)題。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無(wú)精確定時(shí)控制能力等也限制了其應(yīng)用。

 

　　會(huì)上，加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東介紹了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)節(jié)電流傳感比率、可實(shí)現(xiàn)片上智能數(shù)字控制。該集成電路設(shè)計(jì)應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)帶有內(nèi)置低壓硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的共源共柵結(jié)構(gòu)的D型氮化鎵HEMT器件。借助片上堆棧CPU，該完全集成的柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，能夠?qū)崿F(xiàn)靈活的內(nèi)部控制、電流模式調(diào)節(jié)、快捷的振鈴抑制和效率提升。內(nèi)置CPU帶有一個(gè)100MHz的內(nèi)部系統(tǒng)時(shí)鐘，能夠產(chǎn)生100kHz到50MHz的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)。借助4比特動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù)模塊，該混合型 DPWM能夠?qū)崿F(xiàn)625像素的分辨率。應(yīng)用本論文提出的技術(shù)，在不犧牲開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度的前提下，HEMT器件柵極節(jié)點(diǎn)處的振鈴減少86%，電流尖峰減少83%。

 

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