2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與深圳市龍華區政府聯合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。

 

　　期間，“氮化鎵材料與器件技術”分會如期召開，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　會上，日本名城大學副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學教授陳敬，電子科技大學教授明鑫，加拿大多倫多大學教授吳偉東，德國亞琛工業大學教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學高級工程師楊學林，中科院半導體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科，電子科技大學教授張波與中山大學電力電子及控制技術研究所所長、廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心主任劉揚共同主持了本屆分會。

 

　　近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。北京大學馮玉霞博士帶來了關于Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的報告，分享了最新的研究成果。

 

　　馮玉霞表示，在先前的研究中，使用鋁含量較低的氮化鎵緩沖層獲得了3.0?m連續氮化鎵層。通過進一步采用這種技術和使用新的GaN錯位過濾技術,連續的氮化鎵層的厚度可以增加7.3?m。外延層的總厚度包括AlN和AlGaN襯底緩沖區大約8.0?m。

 

　　碳(C)摻雜是產生功率電子的半絕緣GaN的關鍵。然而，到目前為止，對碳摻雜氮化鎵的性質，特別是晶格位置的占有，還不是很清楚。馮玉霞表示，研究證明了在FTIR和拉曼光譜中觀察到的兩條新線來自于N子晶格上取代基C的局部振動模，即具有局部C3v對稱的孤立CN。它們分別被分配到C3v點群的非簡并A1模式和雙簡并E模式。實驗數據與第一性原理計算結果一致。因此，我們首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據，從而為長期存在的爭議帶來了重要信息。

 

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