2018年10月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。

 

　　期間，“氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會如期召開，分會重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。

 

　　會上，日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學(xué)教授陳敬，電子科技大學(xué)教授明鑫，加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東，德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學(xué)高級工程師楊學(xué)林，中科院半導(dǎo)體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科，電子科技大學(xué)教授張波與中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所所長、廣東省第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件工程技術(shù)研究中心主任劉揚(yáng)共同主持了本屆分會。

 

　　近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。北京大學(xué)馮玉霞博士帶來了關(guān)于Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的報(bào)告，分享了最新的研究成果。

 

　　馮玉霞表示，在先前的研究中，使用鋁含量較低的氮化鎵緩沖層獲得了3.0?m連續(xù)氮化鎵層。通過進(jìn)一步采用這種技術(shù)和使用新的GaN錯(cuò)位過濾技術(shù),連續(xù)的氮化鎵層的厚度可以增加7.3?m。外延層的總厚度包括AlN和AlGaN襯底緩沖區(qū)大約8.0?m。

 

　　碳(C)摻雜是產(chǎn)生功率電子的半絕緣GaN的關(guān)鍵。然而，到目前為止，對碳摻雜氮化鎵的性質(zhì)，特別是晶格位置的占有，還不是很清楚。馮玉霞表示，研究證明了在FTIR和拉曼光譜中觀察到的兩條新線來自于N子晶格上取代基C的局部振動模，即具有局部C3v對稱的孤立CN。它們分別被分配到C3v點(diǎn)群的非簡并A1模式和雙簡并E模式。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與第一性原理計(jì)算結(jié)果一致。因此，我們首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)，從而為長期存在的爭議帶來了重要信息。

 

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