本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。

 

　　10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會(huì)召開。分會(huì)主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評(píng)價(jià)等方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名與家參加本次會(huì)議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評(píng)價(jià)的最新進(jìn)展。

 

　　法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來(lái)利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、研究員黃潤(rùn)華，中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級(jí)經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來(lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)主持了本屆分會(huì)。

 

　　現(xiàn)如今，功率半導(dǎo)體芯片正在從硅基向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料發(fā)展，其工作溫度預(yù)計(jì)將會(huì)超過300攝氏度。為了保證功率半導(dǎo)體器件正常工作以及提高其可靠性和壽命，研究適應(yīng)高溫、高功率的封裝非常有必要。納米銀是完美的解決方案，然而昂貴的價(jià)格限制其只能在軍工或者高端產(chǎn)品上使用。納米銅作為替代方案，燒結(jié)后其性能與納米銀相差不大，且價(jià)格適中。適用于大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。

 

　　會(huì)上，重慶大學(xué)教授葉懷宇分享了納米銅用于功率半導(dǎo)體封裝的工藝研究的最新成果。他表示，其研究團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)地研究了納米銅燒結(jié)的條件，以期探究達(dá)到最佳性能的工藝參數(shù)。芯片與銅之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）差異很大，高溫下產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致封裝失效，通過磁控濺射的方式在芯片表面鍍金屬（鎳、鉬、鈦），研究了中間層對(duì)于納米銅燒結(jié)層的影響。此外，在空氣、氮?dú)狻鍤獾沫h(huán)境中燒結(jié)，研究了氣氛對(duì)于納米銅燒結(jié)過程中的影響。溫度也是重要的參數(shù)，提高溫度可以增大燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，其團(tuán)隊(duì)分別研究了200--300℃下納米銅燒結(jié)層的性能。此外，300℃時(shí)氮?dú)猸h(huán)境中，還研究了無(wú)壓力、5Mpa、10MPa下燒結(jié)層的性能。

 

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