2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評價等方面，邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評價的最新進展。
法國國家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國權(quán)主持了本屆分會。
現(xiàn)如今，功率半導(dǎo)體芯片正在從硅基向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料發(fā)展，其工作溫度預(yù)計將會超過300攝氏度。為了保證功率半導(dǎo)體器件正常工作以及提高其可靠性和壽命，研究適應(yīng)高溫、高功率的封裝非常有必要。納米銀是完美的解決方案，然而昂貴的價格限制其只能在軍工或者高端產(chǎn)品上使用。納米銅作為替代方案，燒結(jié)后其性能與納米銀相差不大，且價格適中。適用于大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。
會上，重慶大學(xué)教授葉懷宇分享了納米銅用于功率半導(dǎo)體封裝的工藝研究的最新成果。他表示，其研究團隊系統(tǒng)地研究了納米銅燒結(jié)的條件，以期探究達(dá)到最佳性能的工藝參數(shù)。芯片與銅之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）差異很大，高溫下產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致封裝失效，通過磁控濺射的方式在芯片表面鍍金屬（鎳、鉬、鈦），研究了中間層對于納米銅燒結(jié)層的影響。此外，在空氣、氮氣、氬氣的環(huán)境中燒結(jié)，研究了氣氛對于納米銅燒結(jié)過程中的影響。溫度也是重要的參數(shù)，提高溫度可以增大燒結(jié)驅(qū)動力，其團隊分別研究了200--300℃下納米銅燒結(jié)層的性能。此外，300℃時氮氣環(huán)境中，還研究了無壓力、5Mpa、10MPa下燒結(jié)層的性能。
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