2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 

　　本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

開幕式現(xiàn)場
 

　　作為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域年度國際盛會，中國國際半導(dǎo)體照明（SSLCHINA）系列論壇到今年已是第十五屆，其已發(fā)展成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。更是行業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢。國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）則是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。在延續(xù)往屆成功經(jīng)驗基礎(chǔ)之上，兩大盛會交相輝映，將熱點前沿一網(wǎng)打盡，合力為業(yè)界獻(xiàn)上一場年度饕餮大餐。

 

　　大會由全國政協(xié)教科衛(wèi)體委員會副主任、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)委員會主任、國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）主席曹健林擔(dān)任大會中方主席，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學(xué)獎得主中村修二與美國國家工程院院士、加州大學(xué)教授、Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh Mishra共同擔(dān)任大會外方主席。半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)執(zhí)行主席李晉閩主持了開幕環(huán)節(jié)。

 

　　碳化硅被半導(dǎo)體界公認(rèn)為“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，由于材料質(zhì)量的制約，其制造與商業(yè)化問題一直備受關(guān)注。

PowerAmerica執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授 Victor VELIADIS分享主題報告
 

　　會上，PowerAmerica執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor VELIADIS做了題為“碳化硅功率器件：制造與商業(yè)化之路”的主題報告，帶來最新的技術(shù)進(jìn)展和前景趨勢分析。他表示，在日益電氣化技術(shù)驅(qū)動的世界中，電力電子是整個制造業(yè)經(jīng)濟(jì)的核心。硅（Si）功率器件以其低成本批量生產(chǎn)能力、優(yōu)異的原始材料質(zhì)量、易加工和高可靠性而在電力電子器件中占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管Si功率器件繼續(xù)取得重大進(jìn)展，但它們正在接近其工作極限，這主要是因為它們的帶隙和臨界電場相對較低，導(dǎo)致較高的傳導(dǎo)率和開關(guān)損耗以及較差的高溫性能。

 

　　他強(qiáng)調(diào)說，碳化硅（SiC）所具有的良好材料特性，這將促使制備出小尺寸和簡單冷卻裝置的高效功率器件。在綜合代工廠因素和成本降低策略影響下，闡明了2022年10億美元的SiC器件市場路徑。報告介紹了目前大多數(shù)基于SiC的電力電子系統(tǒng)中的SiC MOSFET的設(shè)計考慮因素。總結(jié)了常見的SiC邊緣終止技術(shù)，該技術(shù)使得SiC器件能夠達(dá)到其全高壓電位，以及該技術(shù)對器件性能的影響。