碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。
會上，邀請到了日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。敖金平博士1989年畢業于武漢大學物理系，獲學士學位。1992年獲電子工業部第十三研究所半導體物理與半導體器件物理碩士學位。2000年獲吉林大學微電子學與固體電子學博士學位。2001年赴日本國立德島大學作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授，博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。敖博士是國際電氣電子工程師協會(IEEE)高級會員，美國電氣化學協會(ESC)會員，日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。
報告首先對常關型AlGaN/GaN HFET的發展將進行總結。具有p GaN帽層結構的常關型AlGaN/GaN HJFET進行介紹，在這其中的本征無摻雜GaN將被作為在p GaN帽層和AlGaN阻擋層之間的隔離層，其作用是減輕Mg的擴散。p-GaN帽層的E型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管（HJFETs），20nm的阻擋層能有效地阻擋Mg向AlGaN/GaN異質結的擴散，獲得了 1200 cm2V-1s-1的溝道遷移率，提出了具有金屬絕緣體半導體（MIS）結構的AlGaN/GaN異質結場效應晶體管（HJFET）電介質。采用ICP輔助低溫工藝制備了自對準柵（SAG）結構，獲得了1.6 V的閾值電壓，顯示出了正極性位移。由于SiN介電常數，正向BiARs中的柵極電流被動態地抑制了1500 cm2/Vs的最大場效應遷移率。基于這種結構還提出了帶有金屬絕緣半導體結構的AlGaN/GaN HJFET。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】
