- 2022-12-22 12:06中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)
- 2020-12-08 16:11三安光電副總經(jīng)理張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展
- 2020-09-18 11:30北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展
- 2020-01-15 00:00新發(fā)現(xiàn)：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
- 2020-01-14 11:30新發(fā)現(xiàn)：新型襯底PSSA可顯著提高AlGaN UV LED的效率
- 2019-12-11 17:39挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
- 2019-11-28 14:13挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN：采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED
- 2019-11-27 11:21日本德島大學(xué)周繼禹：高鋁組分的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)pH傳感器
- 2019-11-27 10:38日本德島大學(xué)教授敖金平：常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
- 2018-11-08 14:53日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA： AlGaN激光的現(xiàn)狀與問題
- 2018-11-02 08:49西安電子科技大學(xué)趙子越博士：基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
- 2018-11-01 18:41廈門大學(xué)教授黃凱：深紫外AlGaN多量子阱納米柱LED中內(nèi)量子效率和光提取效率的增強(qiáng)
- 2018-11-01 10:47沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)Kazuhiro Ohkawa教授：用于生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)的AlGaN MOCVD仿真
- 2018-11-01 09:47北京大學(xué)副教授許福軍：高質(zhì)量AlN外延生長及AlGaN基深紫外LED研究
- 2018-07-27 09:10KAUST大學(xué)開發(fā)奈米AlGaN發(fā)光裝置，可提升UV LED效能
- 2017-11-07 18:09中科院微電子所研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造
- 2017-11-07 18:04張連：選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器
- 2017-11-07 16:02挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授Helge WEMAN：石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長
- 2017-11-06 17:24北京大學(xué)副教授許福軍：納米圖案藍(lán)寶石基板生長高質(zhì)量的AlN和AlGaN量子阱
- 2017-11-06 16:29日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA ：高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展
- 2017-11-05 16:03中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻：納米圖案AlN/藍(lán)寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取
- 2017-11-05 14:40南京電子器件研究所高級工程師吳少兵：W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質(zhì)外延生長和器件特征
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時(shí)高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2015-11-05 09:57【SSLCHINA 2015】楊學(xué)林：采用較大晶格失配引致應(yīng)力控制技術(shù)在Si襯底生長高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)
- 2015-09-14 09:05863計(jì)劃在半導(dǎo)體深紫外發(fā)光器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
- 2013-12-17 00:00日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉(zhuǎn)換效率
相關(guān)搜索
今日搜索排行
本周搜索排行
本月搜索排行
