毫米波固態功率放大器是現代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發射端輸出功率達數瓦或更高。

 

　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導體與微波射頻技術分會如期舉行。分會由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室協辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面，邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。

 

　　英國布里斯托大學教授Martin KUBALL、中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司WLR可靠性專家陶國橋等國內外相關領域專家分享各自的研究成果。中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。

 

　　會上，南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。

 

　　吳少兵一直從事固態微波毫米波器件的研發工作。作為項目負責人，主持開發了基于0.1um GaN工藝的W波段功率放大器，基于70nm InP工藝的W波段低噪聲放大器及50nm G波段InP及GaN器件等，工藝水平及器件性能指標達到W波段領域的國際先進水平。