一個處理物理能源:是信息論在電池電控的應用,用信息控智能量,四兩撥千斤的功率半導體,用少量信息處理控制巨量電流,極大的提高能效和控制精度,其背后需要一系列的半導體(SiC、GaN)來實現半導體對電能的有效控制。
一個處理數字信號:是控制論在無人駕駛的應用,其本質是多反應+少預測的特斯拉FSD,其L5 ADAS的算力將高于智能手機幾個數量級,用CPU、GPU、FPGA、射頻、存儲芯片組成龐大異構算力實時運算將電車喚醒,車載含硅量也將是數量級的提升。
投資建議:建議關注相關產業鏈標的:設備:北方華創(整套SiC工藝設備)、聞泰科技(安世半導體)、三安光電(三安集成)、斯達半導、長電科技(600584)、比亞迪電子。
1． 全球SiC產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局,其中美國一家獨大。隨著中美貿易戰的不斷升級,半導體芯片領域成為了中美必爭之地,伴隨著華為再次被美制裁,高端裝備等領域的國產化勢在必行。此外,SiC材料和器件在軍工國防領域的重要作用,也越來越突出。SiC外延設備在推動產業鏈國產化進程中,意義尤為重大。
2． 器件發展,材料先行,IDM模式將繼續成為行業主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料,但不會完全替代,因為數字芯片并不適合采用SiC對Si進行替代,因此SiC預計占整個半導體行業10%左右。SiC主要應用在功率半導體上,因此IDM模式能夠確保產品良率、控制成本。
3． 國內外差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點,Cree高市占率也印證了先發優勢的重要性。相較于Si,國產廠商對SiC研究起步時間與國外廠商相差不多,因此國產廠商有希望追上國外廠商,完成國產替代。
風險提示:半導體周期持續下行,貿易摩擦拉長周期下行的時間;產品迭代速度較慢,國內競爭者迅速成長;制造過程中核心設備和原材料遭到禁運,對生產造成不利影響。
以上為報告部分內容,完整報告請查看《第三代半導體之SiC研究框架》
