2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月3日上午IFWS 2017之第三代半導體固態紫外器件技術分會如期舉行。分會由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室協辦，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。面向全球廣泛征集優秀研究成果，并將邀請多名國際知名與家參加本次會議，力圖全面呈現第三代半導體紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。

 

　 日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學教授三宅秀人、北京大學副教授許福軍、中科院半導體研究所研究員張韻、華中科技大學教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波和南京大學教授陸海共同主持了本屆分會。

　 會上，中科院半導體研究所研究員張韻分享了納米圖案AlN/藍寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取技術。深紫外LED的光提取增強、深紫外發光二極管濺射AlN模板、AlGaN／AlN激光納米圖案化的AlN模板。

 

　 張韻曾在美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經驗。參與完成與美國國防部先進研究項目局（DARPA）在深紫外光電探測器領域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經驗和世界領先的成果。