10月24日下午，“固態紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。

 

　　會上，廈門大學教授黃凱帶來了深紫外AlGaN多量子阱納米柱LED中內量子效率和光提取效率增強的報告，結合研究實踐介紹了制備的高度有序的AlGaN基深紫外納米柱LED陣列等內容。通過納米壓印和自上而下的干蝕刻技術，其研究團隊制備了高度有序的AlGaN基深紫外納米柱LED陣列。這些高度有序的周期性結構和形貌可由SEM和TEM直接觀測到。與平面樣品相比，CL測試表明納米柱樣品在量子阱發光波段約277nm處，體現出1.54倍的光提取效率增強和15.6倍的內量子效率增強。光提取效率增強可歸因于空氣和外延層之間質量良好的納米結構界面。此外，量子限制斯塔克效應的減弱使得內量子效率得到大幅提高。

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