第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其中氮化物材料是第三代半導體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技術發展和第三代材料技術發展的主要趨勢，隨著環保及公共安全等領域的需求升級，固態紫外技術擁有廣闊的應用前景。
2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
其中，“固態紫外器件技術”分會重點兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法等，力圖全面呈現第三代半導體紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新迚展。
中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜與廈門大學教授康俊勇將共同領銜擔任本屆分會主席。南京大學教授陸海、臺灣交通大學特聘教授郭浩中、華中科技大學教授陳長清、沙特國王科技大學副教授李曉航等國內外專家聯袂組成分會委員團，為分會提供強力支持。來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
北京大學教授、北京大學東莞光電研究院院長王新強將分享超高功率深紫外線光源在消毒中應用的最新進展。中國科學院半導體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經理閆建昌將做題為”氮化物深紫外LED研發方向：從二維材料到納米結構“的主題報告。廈門大學教授蔡端俊將分享氯離子局域場驅動的快速除氫p型增強技術及深紫外LED效率提升的最新研究成果。廈門三安光電股份有限公司副總經理GaN事業部總經理張中英將分享AlGaN基深紫外LED器件的最新進展。中科院寧波材料所副研究員郭煒將做”鋁鎵氮深紫外量子阱及LED：斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究“的主題報告。湖北大學材料科學與工程學院教授黎明鍇將分享關于Hf摻雜SnO2實現高性能日盲紫外光探測器的最新研究進展。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
11月，深圳見！
會議具體信息如下：
更多大會詳細設置與內容請參加大會官網：
http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
分會主席：王軍喜 中科院半導體所研究員
中國科學院半導體照明研發中心副主任，中科潞安半導體研究院院長。自2003年至今在中國科學院半導體研究所工作。從事氮化物材料生長和器件研制工作，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表征方法。使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，并用所研制的材料與信息產業部第十三研究所合作研制出了我國第一只氮化物高溫HEMT器件；負責自主設計并制備了一臺HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位于國內領先水平；在“十一五”期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。
分會主席：康俊勇 廈門大學教授
廈門大學“物理學”一級學科博士點、“微電子學與固體電子學”二級學科工科博士點學術帶頭人、“凝聚態物理”國家重點學科主要學術帶頭人。長期從事化合物半導體晶體生長及其特性表征的教學和科研工作。主持過國家“973”、“863”、國家自然科學基金重大研究計劃和重點項目等數十項研究。先后研發了首臺強磁場晶體生長、納米級空間分辨率應變和電荷測試、原位納米結構綜合測試等設備。在高Al組分AlGaN量子結構等設計與生長及其深紫外表面等離子激元光源研發方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學研究第一人”。在新型太陽能電池研發方面，首次將寬帶隙半導體調制到對太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術。在低維晶格及其耦合誘導的半導體新功能及其應用方面，取得多項重要的研究進展，獲得了國內外同行的高度評價。
先后建立了超高真空、極低溫、強磁場、晶體生長及原位綜合測量等實驗條件；建立了福建省半導體材料及應用重點實驗室、半導體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽為“廈門大學實驗物理奠基人”。榮獲“福建省先進工作者”、“廈門市勞動模范”等稱號。同時，推動了國家半導體照明產業化基地（廈門）的建設工作，牽頭與行業龍頭企業等創建了福建省半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心，為廈門成為國家乃至世界的半導體產業重鎮做出重要貢獻，榮獲“廈門市科技創新杰出人才”。
王新強 北京大學教授
北京大學物理學院教授，教育部長江特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，萬人計劃中青年領軍人才，主要從事寬禁帶半導體材料、物理與器件研究，發表SCI論文160余篇，SCI引用逾2500次，在國內外學術會議上做邀請報告30余次，擔任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。
閆建昌 中國科學院半導體研究所研究員
中國科學院青年創新促進會會員，北京市科技新星計劃入選者。長期從事氮化物半導體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導體紫外發光二極管（UVLED）領域十余年，負責國家863計劃、自然科學基金、重點研發計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。與美國、日本、歐洲等多國的領域著名研究機構開展了學術交流合作，并與產業界建立了良好的互動合作關系。
主持承擔國家863課題“深紫外LED外延生長及應用技術研究”，國際上首次在納米圖形藍寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質量AlN材料，材料質量為國際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相關研究獲得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半導體界知名網站報導。主持自然科學基金項目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實現了國內首個UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導體量子結構的室溫受激發射。發表學術論文五十余篇，申請國家發明專利三十多項。獲中科院成果鑒定兩項，2012年度北京市科學技術獎一等獎、2015年度國家科學技術進步獎二等獎，2018年度北京市科技新星計劃入選者。
蔡端俊 廈門大學教授
2011年加入廈門大學物理科學與技術學院，擔任副教授和正式教授。2013年擔任國立臺灣大學兼職副教授，并于2016年擔任美國杜克大學客座教授。他一直是氮化物半導體，生物物理學，納米科學和納米技術的先驅，他提出了用于深紫外LED的AlGaN新型異質結構，基于AES的非接觸電表征方法，螢火蟲生色團的生物異質結的原始概念，超細和超長Cu納米絲作為透明電極的合成以及單層的超大尺寸增長 h-BN膜。他是美國物理學會，美國生物物理學會，美國化學學會和P.R.C.半導體學會的成員。他在同行評審的期刊和國際會議上發表了80多篇論文，并且是40多項專利的主要發明者。
郭煒 中國科學院寧波材料技術與工程研究所副研究員
研究方向為第三代半導體材料與器件。主要研究興趣包括高鋁組分AlGaN 材料的MOCVD 外延、氮化物極性調控及新型光電子/電力電子器件、紫外LED/激光器的開發及光子提取研究、紫外專用MOCVD設備等。郭博士目前主持、參與科技部重點研發計劃、寧波市“科技創新2025重大專項”、國家自然科學基金面上/青年基金、浙江省重點研發計劃等課題，在SCI 期刊雜志發表論文40余篇，論文引用近1000余次，申請中國發明專利10余項。
