2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。
10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡蟾妫⒎窒砀髯缘淖钚卵芯砍晒B門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
紫外光在人類生活中扮演著重要的角色，包括激光設備、光刻機和滅菌機等，其中聚光透鏡是許多紫外設備的重要組成部分之一。傳統(tǒng)的光學紫外透鏡主要依靠光折射來實現(xiàn)波前整形，即紫外光通過光學介質傳輸，達到所需的相位補償，缺點是制造成本較高、體積較大。這不利于紫外納米光子學往微型化和高密度融合趨勢的發(fā)展。等離激元平面結構可以實現(xiàn)對光的振幅、偏振和相位控制，實現(xiàn)特殊光學功能，如超透鏡、全息圖、波過濾器、起偏器等。然而，基于金屬的等離子體基元在紫外光區(qū)由于高焦耳損耗而使其效率較低。高折射率介電材料，如硅(Si)、氧化鈦(TiO2)和氮化鎵(GaN)已有報道，分別用于近紅外和可見光譜區(qū)域。但即使對于寬帶隙TiO2、GaN，在紫外光區(qū)特別是深紫外光區(qū)吸收損失仍然較大，導致效率低。目前尚無關于介質材料的紫外超透鏡報道。
中南大學教授汪煉成分享了基于寬禁帶AlN的紫外光功能結構和器件的研究成果，包括基于氮化鋁(AlN)超構表面的紫外光功能結構：紫外透鏡，紫外光分束器，和紫外反射鏡。基于氮化鋁(AlN)納米柱陣列結構的紫外超透鏡，實現(xiàn)對UVC (244nm)、UVB (308nm)和UVA (375nm)波長的聚焦功能，相應的聚焦效率分別為40.1%、41.9%和29.1%。氮化鋁(AlN)納米柱的高度為600nm，長度為60-80nm，寬度為20-40nm，周期為100nm[1]。基于在軸，離軸面內，離軸面外的聚焦設計，可潛在實現(xiàn)任意圖形，不同波長的紫外光聚焦圖案，即紫外光分束器。設計了紫外基于氮化鋁(AlN)納米柱陣列結構的紫外超構反射鏡。
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