2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。
10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡蟾妫⒎窒砀髯缘淖钚卵芯砍晒B門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
隨著應用的逐漸擴大，近年來，使用同樣III族氮化物半導體制備的UVC-LED作為汞燈的替代，備受關注，三重大學助理教授永松謙太郎帶來了UVC-LED中應力松弛層對濺射沉積高溫退火AlN /藍寶石影響的研究，分享了一種方法將濺射沉積的高溫退火(Sp-HTA) AlN/藍寶石作為UVC-LED的襯底，以在大規(guī)模量產(chǎn)中降低成本。利用Sp-HTA可獲得高結晶質(zhì)量和光滑表面的AlN層。利用應力松弛層制備了基于Sp-HTA AlN/藍寶石的UVC-LED，并與常規(guī)MOVPE-AlN模板進行了比較。結果表明，比傳統(tǒng)的MOVPE-AlN相比，LED光輸出強度提高了1.5倍。他同時分享探討了基于Sp-HTA AlN/藍寶石的UVC-LED的應力松弛層的細節(jié)特征。
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