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日本大阪大學菅沼克昭教授:寬禁帶功率器件銀燒結連接的新進展

放大字體  縮小字體 發布日期:2017-11-06 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:838
   2017年11月1日-3日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的2017 國際第三代半導體論壇在北京順義隆重召開。在2日上午,舉行“SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性”分會上,來自日本大阪大學菅沼克昭教授分享了“寬禁帶功率器件銀燒結連接的新進展”。
日本大阪大學教授
  他表示,我們擁有一項非常特殊的工藝稱之為DBA結構,在這個方面有20年的數據,但是這個數據目前還是有效的,當時最高的溫度能夠達到125度,現在可以達到250度,20年之前DBA最高的溫度是150度,不可能超過150度。寬帶系的產品有很多的好處,比如它們比較節能,大小也是比較合適,市場增長也比較好。
 
  他舉例說,現在日本會發現有很多展示,比如在火車當中會使用碳化硅的模塊。在電力行業方面有很好的技術,日本最大的一個循環鐵路,它是非常好的一個供電系統,會提供非常好的供電系統和設備,使用碳化硅的模塊,這個模塊非常小,跟一支筆比較的話,碳化硅的體積非常小,性能是非常不錯的,展示的結果我們非常滿意。我們用的這個技術不是燒結,是用的其他技術,但是碳化硅對這種產品來說是非常適合的,現在市場已經開放,所有這些產品都能夠在更高的溫度環境下進行運作,所以這也是一些新的進展。
現場
  通過銀的納米顆粒物我們可以增強這種材料的連接能力,以及它的張力,所以銀是非常好的材料,只有銀的納米材料才能呈現這樣的結構,所以銀在我們制造燒結連接器件的時候發揮了非常重要的作用。
 
  他表示,銀的燒結連接件,現在它是一個非常簡單的過程。我們可以在低溫情況下,沒有壓力的情況下,接觸空氣的情況下,制造銀的燒結連接件,而且它具有非常高的可靠性和性能,而且成本也可以做到非常低。(根據現場速記整理,如有出入敬請諒解!)
 
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