他介紹了高功率雙面多芯片相橋IGBT模塊的設計和特性，模塊性能為1200 V / 600A。與傳統的線焊IGBT模塊相比，IGBT模塊的功率密度有很大提高。

 

　　他表示，現在我們仍舊面臨著一些挑戰，因為它的傳統模式會出現一些熱阻擋，由于材料的限制，因此它只能在低溫的情況下運作，而材料的可靠性也是有所缺乏，所以現在要去改善它的性能，并且提高運作的效率，我們要去使用高溫可靠的材料。

 

　　我們也提出了一些解決方案，使用的是雙邊的半橋模型，使用的是雜散電感，芯片的雙面都使用了這樣的材料，從而降低熱阻擋，并且在芯片的表面可以降低熱擴散，也可以提高連接的可靠性。很多人已經提到了關于銀的燒結連接頭，它有很多的性能，有很多優勢，比如熱阻擋能力更強，可靠性更強，它的熔點，由于熔點高所導致的，比如說一個教授也提到我們將它的溫度從40攝氏度提高到150攝氏度，而且我們也可以大大提高它的功率循環，這是非常好的一個進步。因此都說明的銀的燒結連接頭的性能是非常好的。

 

　　其中，模塊采用納米銀漿作為芯片互連材料，避免了高溫下的蠕變破壞，因而最高工作溫度從125℃提高到175℃甚至更高。四個大面積IGBT芯片（1200V / 150A ，12.56mm×12.56mm），以及四個續流二極管（1200V / 150A）并聯連接在一個DBC襯底上，形成一個電橋。制造的雙面IGBT模塊的尺寸僅為70mm×59mm×4.05mm。在不同的電流下，對此IGBT模塊的熱，機械，電氣性能進行了表征。還進行了電源循環測試，來評估雙面IGBT模塊的可靠性，以驗證模塊設計的可行性。

 

　　無壓的燒結工藝是可以對這種雙邊燒結來進行的，但是我們可以通過雙邊帶進行控制的，我們制造了便的半電橋的模型，使用的是電基礎化，不是上線連接這樣的IGBT的器件是采用無壓燒結方式，同時加上緩沖帶，我們可以看到，通過這樣一些工藝，性能和緩沖能大大提高。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）