據其在公告中表示，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體典型材料，其研究與應用是目前半導體研究的前沿和熱點，是行業未來發展的主流趨勢。

 

第三代半導體SiC/GaN具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小和抗輻射能力強等特點，具有強大的功率處理能力、較高的開關頻率、更高的電壓驅動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現代電子技術對高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環境條件的要求。

 

在部分高端下游應用領域，寬禁帶半導體功率器件具備不可替代的優勢，切合節能環保、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，已成為支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速列車、航海航空等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心電子元器件。

 

其強調，通過本募投項目的實施，有助于公司順應半導體功率器件行業發展趨勢，提前布局SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件產品，實現公司產品結構升級，從而進一步強化公司在半導體功率器件高端應用市場的核心競爭力。

 

此外，公司寬禁帶半導體功率器件的性能已得到國內外的公認，相關的襯底生產工藝、外延工藝、器件制備工藝等也逐步成熟。半導體功率器件部分下游行業需求逐漸由硅基向SiC/GaN等寬禁帶半導體功率器件轉變，尤其以新能源汽車、充電樁、光伏逆變、5G通訊、激光電源、服務器和消費電子快充等高端新興行業成為SiC/GaN產品規模擴張的主要動力。

 

該公司認為，當下是進入SiC/GaN等半導體功率器件市場領域的機遇期。《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》指出，2019年我國第三代半導體市場規模為94.15億元，預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規模將達到623.42億元。

 

而公司作為國內半導體功率器件十強企業之一，需把握全球寬禁帶半導體功率器件的發展契機，抓住機遇窗口，實現在寬禁帶半導體領域的技術突破。通過本募投項目的實施將有助于公司加快SiC/GaN等寬禁帶半導體功率器件的研發及產業化進度，搶占寬禁帶半導體功率器件的技術高地，從而鞏固公司在國內的領先地位。

 

據悉，不同于“硅基”半導體材料及半導體產業與國際先進水平存在較大差距，我國在寬禁帶半導體技術領域的研究工作與國際前沿水平差異相對較小，且雖然現有技術與國際先進水平仍存在差距，但隨著全球半導體產業逐步向亞洲轉移，國內產業實力不斷提升，同時依托5G通信、新能源汽車、物聯網、智能裝備制造、光伏發電等新興產業帶來的廣闊市場空間、以及上下游產業鏈的協同，我國已經初步具備發展寬禁帶半導體產業的能力。

 

該公司還表示，通過本募投項目的實施，有助于公司加大研發投入，充分借助目前在硅基半導體功率器件方面的技術基礎，實現公司產品和技術向寬禁帶半導體領域的過渡，縮小與國際半導體功率器件一流企業的技術差距，從而提高國際競爭力。