日前，致力于碳化硅功率器件技術(shù)創(chuàng)新的深圳基本半導體有限公司（以下簡稱基本半導體）成功參展2017國際電力電子元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）。這是基本半導體首次亮相PCIM Asia，同期展出了自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，倍受行業(yè)人士關(guān)注。
碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優(yōu)勢，特別適用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網(wǎng)、航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域，具有極大的發(fā)展?jié)摿皬V闊的市場空間，其創(chuàng)新技術(shù)和研究成果是今年P(guān)CIM Asia的關(guān)注熱點。
基本半導體由瑞典碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)Ascatron AB和國內(nèi)IGBT驅(qū)動領(lǐng)域領(lǐng)先品牌青銅劍科技聯(lián)合創(chuàng)立，整合海外先進技術(shù)和國內(nèi)市場資源，推動碳化硅器件在國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化。
基本半導體的碳化硅JBS二極管采用先進刻蝕結(jié)合二次外延的3D SiC?技術(shù)，形成嵌入式的P型摻雜區(qū)，該技術(shù)可使器件具有低導通壓降和低反向漏電流的特點。同時3D SiC?技術(shù)有利于簡化器件設(shè)計要求，可廣泛應(yīng)用于多個電壓電流等級以及各器件類型。
目前基本半導體已成功開發(fā)出了1200V、1700V電壓等級的標準及高溫系列碳化硅JBS二極管，該系列產(chǎn)品具有反向漏電流極低（25℃反向漏電流小于1μA，175℃反向漏電流小于5μA）、抗浪涌電流能力強、總存儲電荷低的特點，可極大降低開關(guān)損耗，有利于提高系統(tǒng)效率和功率密度，滿足各行業(yè)應(yīng)用需求。
基本半導體碳化硅JBS產(chǎn)品列表
基本半導體在展會展出的基于6英寸晶圓的1200V/20A JBS碳化硅二極管各項指標已達到國際領(lǐng)先水平；1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評估，溝槽柵MOSFET已完成工藝設(shè)計，樣品即將完成；另外10kV/2A SiC PiN二極管已實現(xiàn)量產(chǎn)。
基本半導體始終專注技術(shù)創(chuàng)新，以客戶需求為導向，不斷開發(fā)性能優(yōu)越的碳化硅功率器件，助力半導體行業(yè)快速發(fā)展。
關(guān)于基本半導體：
深圳基本半導體有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）由瑞典碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)Ascatron AB聯(lián)合青銅劍科技聯(lián)合打造，并與深圳清華大學研究院共建“第三代半導體材料與器件研究中心”，從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
基本半導體通過引進由海歸人才和外籍專家組成的高層次創(chuàng)新團隊，對碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等各方面進行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，建立了一支國際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化團隊。
基本半導體立志于整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，打破國外技術(shù)壟斷，把基本半導體打造成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，實現(xiàn)中國在第三代半導體領(lǐng)域的彎道超車。
