碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優(yōu)勢(shì)，特別適用于電動(dòng)汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網(wǎng)、航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域，具有極大的發(fā)展?jié)摿皬V闊的市場(chǎng)空間，其創(chuàng)新技術(shù)和研究成果是今年P(guān)CIM Asia的關(guān)注熱點(diǎn)。

 

　　基本半導(dǎo)體由瑞典碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)Ascatron AB和國(guó)內(nèi)IGBT驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域領(lǐng)先品牌青銅劍科技聯(lián)合創(chuàng)立，整合海外先進(jìn)技術(shù)和國(guó)內(nèi)市場(chǎng)資源，推動(dòng)碳化硅器件在國(guó)內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化。

 

　　基本半導(dǎo)體的碳化硅JBS二極管采用先進(jìn)刻蝕結(jié)合二次外延的3D SiC?技術(shù)，形成嵌入式的P型摻雜區(qū)，該技術(shù)可使器件具有低導(dǎo)通壓降和低反向漏電流的特點(diǎn)。同時(shí)3D SiC?技術(shù)有利于簡(jiǎn)化器件設(shè)計(jì)要求，可廣泛應(yīng)用于多個(gè)電壓電流等級(jí)以及各器件類型。

　　目前基本半導(dǎo)體已成功開(kāi)發(fā)出了1200V、1700V電壓等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)及高溫系列碳化硅JBS二極管，該系列產(chǎn)品具有反向漏電流極低（25℃反向漏電流小于1μA，175℃反向漏電流小于5μA）、抗浪涌電流能力強(qiáng)、總存儲(chǔ)電荷低的特點(diǎn)，可極大降低開(kāi)關(guān)損耗，有利于提高系統(tǒng)效率和功率密度，滿足各行業(yè)應(yīng)用需求。

 

　　基本半導(dǎo)體碳化硅JBS產(chǎn)品列表

　　基本半導(dǎo)體在展會(huì)展出的基于6英寸晶圓的1200V/20A JBS碳化硅二極管各項(xiàng)指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平；1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評(píng)估，溝槽柵MOSFET已完成工藝設(shè)計(jì)，樣品即將完成；另外10kV/2A SiC PiN二極管已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 

　　基本半導(dǎo)體始終專注技術(shù)創(chuàng)新，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷開(kāi)發(fā)性能優(yōu)越的碳化硅功率器件，助力半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展。

 

　　關(guān)于基本半導(dǎo)體：

 

　　深圳基本半導(dǎo)體有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）由瑞典碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)Ascatron AB聯(lián)合青銅劍科技聯(lián)合打造，并與深圳清華大學(xué)研究院共建“第三代半導(dǎo)體材料與器件研究中心”，從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

 

　　基本半導(dǎo)體通過(guò)引進(jìn)由海歸人才和外籍專家組成的高層次創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，對(duì)碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面進(jìn)行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，建立了一支國(guó)際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)。

 

　　基本半導(dǎo)體立志于整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，打破國(guó)外技術(shù)壟斷，把基本半導(dǎo)體打造成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，實(shí)現(xiàn)中國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的彎道超車。