德智新材料董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。

 

消息顯示，SiC刻蝕環是半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材。SiC刻蝕環對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。

 

據官方介紹，德智新材料成立于2017年，是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發，生產和銷售的高新技術企業。

 

消息指出，2018年，德智新材落戶動力谷自主創新園。隨后，德智新材自主設計的國內最大化學氣相沉積設備完成調試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，“德智新材”成為國內最大單晶太陽能生產企業——隆基股份等龍頭企業的供貨商，并與吉林大學、中南大學等高校建立長期合作關系。

來源：全球半導體觀察