上海天岳碳化硅半導體材料項目位于上海市浦東新區泥城鎮，總建筑面積約9.5萬平方米，其中地上建筑面積約9.2萬平方米，地下建筑面積3000平方米。項目主要生產6英寸導電型碳化硅晶錠，主要用于新能源汽車、通訊及雷達以及電力電子等領域。

 

項目負責人介紹，在建設過程中，項目團隊科學組織、精準規劃，積極優化資源配置，嚴抓安全、質量與進度。面對復雜結構形式等挑戰，項目團隊開拓創新，積極應用新工藝、新技術、新設備，不斷推進項目安全有序生產和建筑品質升級。

 

據悉，該項目作為2021年上海市重大建設項目，預計在達產年，形成年產導電型碳化硅晶錠2.6萬塊、對應襯底產品30萬片的生產能力，將進一步帶動我國碳化硅襯底材料的發展，擔當起振興我國新一代半導體產業的重任。

 

【來源：東方網】