尊敬的各有關單位：

第三代半導體是實現“雙碳”目標、“東數西算”戰略和保障國家產業安全、經濟高質量發展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場發展，第三代半導體的需求規模保持高速增長。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場快速增長，覆蓋可再生能源與儲能、電動汽車、充電基礎設施、工業電源、牽引和變速驅動等眾多領域，可帶來更小型、更輕量、更具經濟效益的設計，并更高效率地實現能量轉換，從而賦能不計其數的新型清潔能源應用，在全球朝向可持續電氣化轉型中發揮著至關重要的作用。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導體材料領域已經形成了完整的產業鏈，從材料、裝備及工藝技術等方面也均實現了部分國產化替代，占據了一定的市場份額，但在材料、工藝與裝備一體化、大規模量產能力、器件性能與穩定性等方面與國際先進水平仍存在一定差距，要實現碳化硅關鍵裝備及工藝技術完全的國產自主可控，仍需產業上下游各方加強協作，攜手攻克難關。

為強化自主科技創新，提升核心裝備國產化供給能力，在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所聯合組織籌辦，擬于5月5-7日在長沙市舉辦“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”，會議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產業創新發展”、“關鍵零部件及制造工藝創新突破”、“產業鏈上下游協同創新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產業鏈上下游的企業及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內碳化硅及其他半導體產業的發展。

先進半導體產業大會組委會

2023年4月

》》組織機構

指導單位

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

主辦單位

極智半導體產業網(www.casmita.com)

承辦單位

中國電子科技集團公司第四十八研究所

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協辦單位

湖南三安半導體有限責任公司

瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司

中車時代電氣股份有限公司

中南大學

......

贊助支持

湖南三安半導體有限責任公司

瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司

蘇州高視半導體技術有限公司

忱芯科技（上海）有限公司

蘇州博宏源機械制造有限公司

江蘇晶工半導體設備有限公司

蘇州德龍激光股份有限公司

北京特思迪半導體設備有限公司

布魯克（北京）科技有限公司

山東海金石墨科技有限公司

湖南德智新材料有限公司

浙江凱威碳材料有限公司

哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司

浙江飛越機電有限公司

中電科風華信息裝備股份有限公司

吉永商事株式會社

鵬城半導體技術（深圳）有限公司

北京媯水科技有限公司

昂坤視覺（北京）科技有限公司

山西中電科新能源技術有限公司

......

》》主題方向

1、宏觀趨勢與產業現狀

·碳化硅全球發展趨勢、現狀及應用前景；

·國內產業政策分析、產業需求研判；

·國產裝備現狀、行業發展痛點及未來展望；

·資金、人才、技術、市場等關鍵要素分析；

2、技術方向與產業環節

·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關裝備技術；

·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術及裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術；

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導體材料、工藝和裝備；

3、產業配套及供應鏈

·襯底、外延、器件等設計軟件及檢測裝備；

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協同優化；

·產品性能/良率/可靠性等要素分析與改進；

·生產流程控制、工藝優化與產業鏈協同創新；

4、規模應用與市場探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術進展；

·碳化硅功率器件技術進展及應用前景；

·產業化進展及裝備需求；

·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰。

》》時間地點

2023年5月5-7日

湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店

》》日程安排(具體報告陸續更新中)

》》開幕大會日程安排

時間		主要安排
5月5日	09:00-19:00	報到&資料領取
	13:30-17:30	開幕大會+圓桌對話
	18:00-21:00	歡迎晚宴
5月6日	09:00-12:00	分論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體
	12:00-13:30	午餐&交流
	13:30-17:30	分論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體
	18:30-20:30	晚餐&結束
5月7日	09:00-12:00	商務考察活動&返程 （中國電子科技集團公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導體）
備注：僅供參考，以現場為準。

開幕大會
時間：5月5日 • 下午14:00-17:30 地點：圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層宴會C廳
14:00-14:05	嘉賓介紹
14:05-14:15	領導/嘉賓致辭
大會主旨報告
14:15-14:45	碳化硅產業鏈半導體技術趨勢及進展 趙璐冰——第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長 / 丁榮軍——中國工程院院士、中車集團首席科學家
14:45-15:15	碳化硅器件微型化現狀及發展趨勢 張清純——復旦大學教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任、清純半導體董事長
15:15-15:45	碳化硅材料技術產業現狀與新趨勢 彭同華——北京天科合達半導體股份有限公司董事、常務副總經理
15:45-16:00	茶歇
16:00-16:30	當前碳化硅項目到底要建多大的線？再分析碳化硅行業規模化發展的謎題與難題 陳  彤——泰科天潤董事長
16:30-17:00	碳化硅芯片制造裝備技術發展趨勢及國產化進展 鞏小亮——中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任
19:00-21:00	歡迎晚宴

 

 

平行論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術
時間：5月6日 • 09:00-12:00，14:00-17:30 地點：圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層宴會C廳
主持人	劉朝輝   國家新能源汽車中心
09:00-09:20	SiC MOS器件可靠性制造技術及裝備 王德君——大連理工大學教授
09:20-09:40	SiC MOSFET器件及其應用研究的思路和探索 王  俊——湖南大學超大功率半導體研究中心主任，教授
09:40-10:00	碳化硅產業鏈挑戰 湖南三安半導體
10:00-10:20	適配xEV動力域控制器的SIC電機控制器 陳文杰——陽光動力電控研發中心總監
10:20-10:35	茶歇
主持人	尹韶輝 湖南大學教授
10:35-10:55	碳化硅長晶爐石墨熱場結構的國產化探索 趙麗麗——哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長
10:55-11:15	碳化硅單晶用碳化鉭技術（TBD） 恒普真空
11:15-11:35	SIC晶圓全制程質量控制解決方案 鄒偉金——蘇州高視半導體技術有限公司副總經理
11:35-11:55	碳化硅6/8英寸高產能外延解決方案 方子文——AIXTRON SE中國區副總經理
11:55-12:15	先進拋光技術助力量產型大尺寸碳化硅制造 孫占帥——北京特思迪半導體設備有限公司工藝部部長
11:55-14:00	午餐
主持人	王  俊 湖南大學教授
14:00-14:20	碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術探索 梅云輝——天津工業大學電氣工程學院院長
14:20-14:40	高性能功率器件封裝互連方法研究 朱文輝 中南大學特聘教授
14:40-15:00	國產化碳化硅注入機發展情況 羅才旺——北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經理
15:00-15:20	碳化硅功率半導體模塊精準動靜態特性與可靠性測試解決方案 陸  熙——忱芯科技（上海）有限公司技術總監
15:20-15:40	電力電子領域寬禁帶半導體外延技術進展 蘆偉立——中國電子科技集團第十三研究所SIC外延主管
15:40-15:55	茶歇
主持人	潘堯波 中電化合物半導體有限公司總經理
15:55-16:15	碳化硅功率半導體模塊精準動靜態特性與可靠性測試解決方案 陸  熙——忱芯科技（上海）有限公司技術總監
16:15-16:25	碳化硅外延核心技術的產業化應用 孔令沂——杭州海乾半導體有限公司董事長
16:25-16:45	半導體設備用SiC部件材料開發及應用 余盛杰——湖南德智新材料有限公司CTO
16:45-17:05	碳化硅同質外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析 雷浩東——布魯克（北京）科技有限公司應用工程師
17:05-17:25	碳化硅晶圓減薄裝備技術現狀及發展趨勢 尹韶輝——湖南大學教授

 

平行論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體
時間：5月6日 • 09:00-12:00，14:00-17:30 地點：圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層國際會議廳
主持人	謝自力 南京大學教授
09:00-09:20	原位集成亞波長光學結構micro-LEDs器件研究 汪煉成——中南大學教授
09:20-09:40	氮化鎵基光通信技術及應用 陳雄斌——中科院半導體研究所研究員
09:40-10:00	氮化物半導體數字混晶與極化誘導二維空穴氣 王  科——南京大學教授
10:00-10:20	分子束外延設備國產化進展及展望 陳峰武——湖南爍科晶磊半導體科技有限公司科技部部長
10:20-10:35	茶歇
10:35-10:55	GaN功率電子器件的物理建模與制備研究 張紫輝——河北工業大學教授
10:55-11:15	氮化鎵射頻芯片工藝和封裝技術 王  琮——哈爾濱工業大學教授
11:15-11:35	原位AlGaN插入層降低InGaN  LED漏電流 李陽鋒——湖南大學半導體學院（集成電路學院）助理教授
11:35-11:55	氮化鎵基LED（TBD） 季  輝——湘能華磊光電股份有限公司總工程師
11:55-14:00	午餐
主持人	汪煉成 中南大學教授
14:00-14:20	下一代半導體——氧化鎵之管見 夏長泰——中國科學院上海光機所研究員
14:20-14:30	氧化鎵材料研究進展及發展思考 張勝男——中國電子科技集團第四十六所高級工程師
14:30-14:50	基于LPCVD生長六方氮化硼薄膜的特性及應用研究 李  強——西安交通大學副教授
14:50-15:10	氧化鎵薄膜外延及電子結構研究 張洪良——廈門大學化學與化工學院教授
15:10-15:30	氧化鎵單晶生長及缺陷研究 穆文祥——山東大學新一代材料研究院副教授
15:30-15:45	茶歇
15:45-16:05	III-V族化合物納米半導體陣列的選區外研生長及探測應用 袁小明——中南大學物理電子學院副教授
16:05-16:25	金剛石技術（TBD） 彭  燕——山東大學副教授
16:25-16:45	金剛石（ 魏秋平——中南大學教授
16:45-17:05	氧化鎵光電探測器研究進展 趙曉龍/龍世兵——中國科學技術大學微電子學院
17:05-17:25	氧化鎵的可控摻雜與性能調控 胡 偉——湖南大學新一代半導體研究院副教授

》》擬參會單位

山東天岳，天科合達，河北同光，山西爍科晶體，南砂晶圓，東莞天域，英飛凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯電子，清純半導體，蔚來汽車，中南大學，湖南大學，基本半導體，士蘭微，高意半導體，中科院半導體所，中科院物理所，武漢大學，武漢理工大學，國防科技大學，AIXTRON SE, 中電科四十六所，中電科二所，中電科十三所，中電科五十五所，晶越半導體，小鵬汽車，山東大學，理想汽車，長安汽車、超芯星，中電化合物，世紀金光，浙江大學，西安交通大學，復旦大學、海乾半導體、富士電機、三菱電機.....

》》更多報主題安排

平行論壇報告主題安排

1.第三代半導體產業發展現狀及挑戰

2.第三代半導體關鍵裝備的現狀及國產化思考

3.碳化硅器件制造關鍵裝備及國產化進展

4.SiC器件和模塊的最新進展

5.第三代半導體材料外延生長裝備現狀及展望

6.碳化硅涂層石墨盤技術

7.8英寸碳化硅單晶進展

8.國產MBE 設備進展

9.SiC襯底制備技術現狀、趨勢及工藝研究

10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

11.SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發

12.SiC MOS器件結構設計

13.激光剝離設備國產化進展

14.先進碳化坦涂層技術

15.車用碳化硅技術進展

16.銀燒結設備技術

17.SiC高溫熱處理設備及工藝應用

18.激光退火技術

19.SiC外延裝備及技術進展

20.碳化硅離子注入設備技術

21.SiC晶體生長、加工技術和裝備

22.拋光裝備國產化之路

23.8寸碳化硅外延制備技術

24.8寸碳化硅襯底技術進展

25.第三代半導體材料生長裝備與工藝自動化

26.化合物半導體工藝設備解決方案

27.GaN器件及其系統的最新研究進展

28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

29.GaN晶片的光電化學機械拋光加工

30.第三代半導體材料加工設備及其智能化

31.激光技術在第三代半導體領域的應用

32.碳化硅單晶生長用石墨技術

33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測

34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術

35.金剛石半導體技術

36.碳化硅半導體功率器件測試方案

37.碳化硅基氮化鎵產業化進展及裝備需求

38.光隔離探頭測試技術

39.電子特氣在第三代半導體產業中的應用

40.金剛石單晶生長技術

41.SiC單晶制備與裝備研發進展

42.半導體電子特氣國產化進展

43.半導體晶圓清洗設備國產化進展

44.碳化硅IGBT 技術進展及應用前景

45.車用氮化鎵器件技術進展

46.第三代半導體二手設備市場現狀與存在問題

47.硅基氮化鎵MOCVD設備技術進展及趨勢

48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術

備注：以上部分報告主題僅供參考，報告嘉賓正陸續確認中，后續將集中公布。

》》注冊報名：

1、注冊費2500元，4月29日前注冊報名2200元（含會議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業展位預定中，請具體請咨詢。

2、交通費、住宿費等自理。

》》展覽展示

為促進產業鏈企業充分展示交流，組委會開辟出少量展示席位，數量有限，預訂從速。詳情可咨詢會議聯系人。

》》繳費方式

1、通過銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

2、線上注冊繳費

備注：在線注冊平臺注冊請務必填寫正確，以便后續查詢及開具發票。

3、現場繳費（接受現金和刷卡）

4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司”作為會議唯一收款單位。

》》報告及論文發表聯系：

Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com

》》會議報名/參展/贊助咨詢：

賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士：13681329411，zhangww@casmita.com

張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com

》》協議酒店：

會議酒店： 長沙圣爵菲斯大酒店

酒店地址：湖南省長沙市開福區三一大道471號

協議房價：

·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早  258元/晚

（備注：三星酒店單獨用餐區用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯系人）

預訂聯系人：李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com

備注：預定客房時提“碳化硅”或“半導體會議”均可享受協議價格。