論壇期間舉辦的各類同期活動更可謂是一場場思想碰撞的精神盛宴。

 

　　3日下午，在論壇隆重召開之際，2015中國國際第三代半導體技術與應用高峰論壇在深圳會展中心五層玫瑰廳如期舉行，來自與第三代半導體相關的科研院所、研發機構、大專院校、龍頭企業、工程設備公司等代表也如約而至，共同探討第三代半導體發展、技術前沿與應用趨勢，為搶占國際半導體領域戰略制高點獻計獻策。

 

　　北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心副主任沈波；香港科技大學教授陳敬共同主持了本次論壇。

 

　　以GaN、SiC為代表第三代半導體材料是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

 

　　據預測，到2020年，第三代半導體技術的應用將催生我國在上述幾大領域出現上萬億元的潛在市場價值，屆時將帶來巨大的市場應用空間。

 

 

　　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長、北京國聯萬眾半導體科技有限公司總裁呂志輝在主題為“第三代半導體產業技術創新戰略及發展模式”的報告中指出，近十年，第三代半導體材料、器件及應用技術不斷取得突破；第三代半導體光電器件、電力電子器件和射頻功率器件以極具競爭力的態勢進入市場。

 

　　第三代半導體是滿足“創新驅動發展”國家戰略需求、搶占未來產業發展制高點、支撐國民經濟可持續發展不可或缺的先進電子材料，它的突破將引發科技變革并重塑國際產業格局。

 

　　當前，我國政府十分重視第三代半導體材料與器件的研發及產業化，在政府的持續部署支持下，我國材料研發的整體水平與國際差距不大，如第三代半導體材料第一個產業化的應用——半導體照明已經在關鍵技術上實現突破，創新應用國際領先；在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達領域已有少量示范應用。

 

　　呂志輝表示，未來十年，將興起一場以半導體超越照明技術、寬禁帶節能電子技術、寬帶移動通訊硬件技術、先進雷達技術為主要內容的半導體科技革命；進而引發一場信息和能源技術革命，推動第三代半導體產業爆發性成長。

 

　　因此，第三代半導體材料的發展應聚焦國家重大需求，明確企業主體作用，大力發揮區域產業優勢的協同創新。

 

　　實行全鏈條戰略，理清產業鏈、明確創新鏈、打通資金鏈，做到上游技術突破、中游產業化領先、下游應用市場主導。

 

　　采用創新基地發展戰略，在優勢地區（技術、人才、資金、市場）建設國家重大創新基地，以新的機制、體制、組織形式，跨領域、跨部門、跨區域集中組織實施面向國家戰略的協同創新，強化資源整合和開放合作，推動產業集群式發展,形成輻射全國的技術轉化網絡。

 

　　大力發展示范，以產業示范推動技術與資本、人才的深入融合，推進第三代半導體聯合創新基地建設，促進產業集群式發展，從而引領產業發展。

 

　　充分發揮聯盟、學會、協會等行業組織在整合資源、產學研對接、公共服務等方面作用。“現有的這些組織為第三代半導體技術提供了跨界創新、應用集成和轉移轉化的重要載體。”呂志輝表示。

 

　　此外，呂志輝還進一步介紹了第三代半導體產業技術創新戰略聯盟以及聯盟未來的工作思路。

 

　　他表示，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟是在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業等41家單位自愿發起籌建的，于9月9日在北京會議中心召開了成立大會，選舉CSA秘書長吳玲女士為聯盟首屆理事長，并將秘書處設在北京國聯萬眾半導體科技有限公司。今天下午，聯盟又召開了技術委員會并宣布了28位委員會專家名單。

 

　　“未來，聯盟將以國家需求和市場需求為目標，聯合企業和社會資本建立一個創新平臺，以此來完成產業聯合創新體系的建設。”呂志輝還向在場嘉賓介紹了聯盟未來工作的三大方向：推動協同創新中心建設、建立產業發展基金和產業綜合服務平臺。